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Bulletin of the Korean Chemical Society , 2017년, pp.1038 - 1041   http://dx.doi.org/10.1002/bkcs.11215
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Influences of Graphene Surface Treatment Temperature on a Growth of Al2O3 Film by Atomic Layer Deposition on Graphene
Influences of Graphene Surface Treatment Temperature on a Growth of Al2O3 Film by Atomic Layer Deposition on Graphene

박용현  이상운 
  • 초록

    Influences of temperature on graphene surface treatment using trimethylaluminium (TMA) and H2O were investigated for a growth of Al2O3 film by atomic layer deposition (ALD) on graphene. It has been reported that a nucleation of Al2O3 film on the graphene surface was enhanced significantly by a surface treatment using TMA and H2O at 100 °C prior to the deposition of Al2O3 film by ALD at the same temperature. Here, we investigate influences of the surface treatment temperature on the nucleation of Al2O3 film grown by ALD on graphene surface. It is revealed that the nucleation of Al2O3 film is degraded as the surface treatment temperature increases from 150 to 200°C. The origin of the deteriorated nucleation of Al2O3 film is attributed to a decreased density of C?O and O?C?O defects on the graphene surface at the high temperature (200 °C).


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