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학위논문 상세정보

효율적인 8채널 SOI-AWG를 위한 낮은 Bending Loss에 관한 연구 원문보기
A Study on Low Bending Loss for Effective 8 Channel SOI-AWG

  • 저자

    黃泰庸

  • 학위수여기관

    명지대학교

  • 학위구분

    국내석사

  • 학과

    電子工學

  • 지도교수

  • 발행년도

    2000

  • 총페이지

    viii, 71 p.

  • 키워드

    8채널 SOI-AWG Bending Loss;

  • 언어

    kor

  • 원문 URL

    http://www.riss.kr/link?id=T8949069&outLink=K  

  • 초록

    본 논문에서는 SOI(silicon-on-insulator)구조를 이용하여 적은 bending 손실을 갖는 효율적인 8채널 AWG(arrayed waveguide grating)의 구현을 제안하였다. 다른 소자와의 집적을 위해서는 가급적 적은 크기가 요구되는데, AWG 소자의 크기는 주로 두 star coupler를 연결하여 동일한 길이 차에 의해 일정한 빛의 위상차를 갖게 함으로 파장에 따라 맺히는 상의위치를 변화시키는 도파로열과 입출력 도파로의 bending에 의해 결정되며, 소자의 크기를 줄이기 위해서는 반드시 bending에 의한 손실이 감소되어져야 한다. 본 논문에서는 bending 도파로를 제작하여 최적화된 위치에 trench를 삽입함으로써 bending에 따른 도파로의 손실을 감소시켰으며, 편광에 따른 손실의 의존성도 현저히 줄었음을 확인하였다. 이를 AWG에 적용하면 배열 도파로에 삽입된 깊게 식각된 trench는 한 도파로에서 다른 도파로로 누설되는 빛을 차단하여, 위상 오차에 의한 잡음과 채널간의 누화를 낮출 수 있을 것으로 기대된다. 또한 2㎛이상의 silicon deep etching시, plasma on 상태에서 불균일한 식각에 의해 발생하는 black silicon현상을 개선하기 위한 공정조건을 제시하였다.


    In this thesis, effective 8 channel AWG with low bending loss was proposed using SOI structure. For integrating with other optical device, small chip size is required. AWG device size is mainly determined by two section. One is arrayed waveguide part which connect two star coupler. It takes the role of focused image point shifting according to wavelength using same phase difference phenomenon made by equal optical path length difference. The other is input, output bending waveguide part. Bending loss should be reduced to meet with compact device size requirement. we reduced bending loss by inserting trench structure in optimized location near waveguide and could minimize polarization dependent loss(PDL) considerably. If this result apply to AWG, deeply etched trenches located in arrayed waveguide region are expected to lower phase error noise and crosstalk by intercepting leaked light from one channel into other channels. In addition, the etching process condition for improving Black Silicon phenomenon generated from deep etching process over gum for the reason of ununiform plasma etching process was suggested.


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