본문 바로가기
HOME> 논문 > 논문 검색상세

학위논문 상세정보

The study of large JMR in the Co/LSMO/MgO/Co junction : Co/LSMO/MgO/Co junction 에서의 Large JMR에 관한 연구 원문보기

  • 저자

    장규인

  • 학위수여기관

    The Graduate School Yonsei University

  • 학위구분

    국내석사

  • 학과

    Institute of Physics and Applied Physics

  • 지도교수

  • 발행년도

    2002

  • 총페이지

    vii, 39 p.

  • 키워드

    스퍼트링 자기저항 터널링두께;

  • 언어

    eng

  • 원문 URL

    http://www.riss.kr/link?id=T8950150&outLink=K  

  • 초록

    Co/LSMo/MgO/Co junction은 MgO/TiN/Si(100)를 buffer로 사용하고, 50μm크기의 metal mask 를 사용하여 제작하였다. Co를 bottom electrode로 사용하였으며, tunneling 현상의 interface에 대한 민감성을 고려하여 bottom electrode의 roughness를 10Å 미만으로 RF magneto-sputtering 방법을 사용하여 증착하였다. Tunneling barrier로는 MgO를 사용하였으며,barrier의 두께를 변화시킴으로써 tunneling 현상이 효과적으로 나타나는 MgO의 두께를 결정하였다. Co/MgO/Co junction에서 tunneling 현상을 관측한 후 top electrode를 변화시킴으로써 JMR을 관측하였다.그 결과 tunneling현상이 가장 효율적으로 나타나는 MgO의 두께는 약 30Å이고,Co/MgO/Co junction과 LSMO/MgO/Co junction보다는 Co/LSMO/MgO/Co junction에서 보다 큰 JMR이 나타남을 확인하였다.또한 LSMO의 두께를 변화시키면서 zero field와 외부자기장 0.5T을 가해주었을 때 applied bias에 따른 current를 측정함으로써 JMR의 변화를 관측하였다. 그 결과 LSMO의 두께가 약 100Å일 때 가장 효과적인 'spin-filter'현상이 나타남을 확인하였다. 이것은 half -metal인 LSMO가 특정한 두께를 가질 때 'spin-filter'현상이 나타남을 의미한다.


    According to Jullier's model, TMR ratios close to 100% would be possible with the use of half-metallic magnetic electrodes (P=1) in magnetic tunnel junctions. The results of J.Mathon and A.Umerski are that the calculated optimistic TMR ratio is very large, in excess of 1000% for MgO barrier of □20 atomic planes, and the spin polarization of the tunneling current is positive(as in junctions based on an Al₂O₃ barrier).² Surface roughness of the first FM electrode can lead to dipolar or orange peel coupling between the bottom and top FM electrodes. To decrease this effect, we obtained good surface roughness of the first FM electrode by fitting the substrate temperature, RF power and sputtering pressure. And then, to measure the junction of magnetoresistance of Co/MgO/Co, by verifying the thickness of MgO, we obtained the suitable tunneling barrier is about 30Å.The observed JMR ratios are lower than those observed with Al2O3 barriers at room temperature and 77K. The DC bias dependence of JMR is not well understood. This has been attribute to several factors: increase in the conductance with bias, exitation of magnons, or energy dependence of spin polarization due to band structure effects. In order to a large JMR, FMs with the highest possible polarization are required. Therefore the 'intermediated' half metal thin film is selected as a 'spin- filter'. The result show that the effective thickness of LSMO as a 'spin-filter' is about 100Å. In the larger thickness of LSMO, the 'spin-field' effect disappeared.


 활용도 분석

  • 상세보기

    amChart 영역
  • 원문보기

    amChart 영역