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학위논문 상세정보

성장정지를 이용한 In-rich InGaN/GaN 양자우물 구조의 성장 및 구조적 광학적 특성 분석 원문보기
Growth of In-rich InGaN/GaN quantum well structures using growth interruption and analysis on structural and optical properties

  • 저자

    권순용

  • 학위수여기관

    서울大學校 大學院

  • 학위구분

    국내박사

  • 학과

    재료공학부

  • 지도교수

  • 발행년도

    2005

  • 총페이지

    143 leaves

  • 키워드

    유기금속화학기상증착법 (MOCVD);초박막 (ultra-thin) In-rich InGaN;양자우물 (QW);성장 정지 (GI);내부 형성 전기장 (built-in electric field);캐리어 가둠 (carrier localization);이차원 성장법 (two-step growth method);metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD);ultra-thin In-rich InGaN;quantum well (QW);growth interruption (GI);built-in electric field;localization centers;two-step growth method;

  • 언어

    eng

  • 원문 URL

    http://www.riss.kr/link?id=T10062427&outLink=K  

  • 초록

    초록이 없습니다.


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