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PZT Capacitor의 전기적 특성 연구 원문보기
(A) study on the electrical properties of PZT capacitor

  • 저자

    정희영

  • 학위수여기관

    東亞大學校 敎育大學院

  • 학위구분

    국내석사

  • 학과

    공통과학교육전공

  • 지도교수

  • 발행년도

    2004

  • 총페이지

    vi, 46p.

  • 키워드

    PZT Capacitor 응축장치 전기;

  • 언어

    kor

  • 원문 URL

    http://www.riss.kr/link?id=T10067424&outLink=K  

  • 초록

    Sol-gel법에 의하여 Pb(Zr,Ti)O_(3) 강유전체 박막 캐패시터를 제작하였다. 이때 박막의 전구체를 스핀 코팅법으로 만들었으며, 600℃부터 700℃까지 50℃ 간격으로 후열처리하여 결정화하였다. 열처리 방법은 일정 온도를 유지하고 있는 전기로에 시료를 직접 삽입하여 유지하는 방법으로 제작하였다. 그리고 각 온도별로 전기로에서 2분, 10분, 20분, 30분, 1시간 동안 열처리하여 열처리 온도와 시간에 따른 박막의 결정화를 조사하였으며, 결정화는 XRD로, 표면과 단면의 결정구역 변화는 FE-SEM으로, 전기적 특성은 RT66A로 각각 측정하였다. 그 결과 600℃에서는 박막이 pyrochlore 상태로 충분히 결정화되지 않았고 이력곡선도 나타나지 않았다. 650℃에서는 이력곡선은 관찰할 수 있었으나 강유전체의 특성은 20분이상 열처리했을 때 뚜렷해졌고, 에너지 저장용량도 크다. 700℃에서는 2분간 열처리에도 강유전체의 특성을 보였으나 에너지 저장용량은 비교적 작다. 열처리 온도가 높아질수록 결정구역도 뚜렷해지고 단시간 내에 결정화되었다. PZT 박막을 이용하기 위해서는 최소한 650℃에서 20분 이상 열처리하여야만 캐패시터로 활용에 효율을 얻을 수 있다.


    Ferroelectric thin film capacitor was synthesised using sol-gel derived Pb(Zr,Ti)O_(3) ferroelectric precursor. As grown thin films were post-annealed in the furnace from 600℃ to 700℃ with the 50℃ intervals. Couple of investigations were done fly XRD for crystallization study, FE-SEM for surface structure and crystallization domains and RT66A for electrical properties with the samples which were annealed during 2 min, 10 min, 20 min, 30 min and 1 hour at each annealing temperatures, respectively. The sample that was annealed at 600℃ did not show any hysteresis loop and had a pyrochlore phase. The sample that was annealed at 650℃ showed distinct hysteresis loop when it was annealed during up to 20 min. and it has a large energy storage capacity. When the sample was annealed at 700℃ during 2 min. it showed distinct hysteresis loop but has a smaller energy storage capacity. The sample at higher temperature annealed is more distinct the crystallization domains and requires the shorter crystallization time. It Is Implies that the thin film should be annealed at least 650℃ during 20 min to apply as a good ferroelectric capacitor.


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