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광보조에 의한 VO2 막막에서의 금속-쟐연체 전이 원문보기
Photo-assisted Metal-insulator transition in VO2 Film

  • 저자

    정주호

  • 학위수여기관

    울산대학교

  • 학위구분

    국내석사

  • 학과

    물리학과

  • 지도교수

    김석원

  • 발행년도

    2014

  • 총페이지

  • 키워드

    VO2 + 금속-절연체 전이 + 광 보조;

  • 언어

    kor

  • 원문 URL

    http://www.riss.kr/link?id=T13540305&outLink=K  

  • 초록

    1950년부터 현재까지 금속-절연체 전이(Metal-insulator trasition; MIT)에 대한 연구가 끊임없이 진행되고 있다. 특히, 바나듐 산화물은 특정한 온도에서 금속-절연체 전이가 일어나는 물질로서, 바나듐 산화물의 금속-절연체 전이는 열이나 압력 또는 전기장에 의한 결정구조의 변화 때문인 것으로 알려져 있다. 최근 이루어진 연구에 따르면 바나듐 산화물에 광을 조사할 경우 금속-절연체 전이 가 일어나는 전이온도에 변화가 생긴다는 연구 결과가 발표되었다. 이에 본 연구에서는 Al2O3 기판 위에 RF 스퍼터링 법으로 VO2 박막을 제작하여 광 조사 유무에 따른 전류 생성량과 표면저항을 측정하였다. 측정 결과, 본래 68 ℃ 부근에서 금속-절연체 전이가 일어나던 VO2 박막이 광을 조사하자 48 ℃와 50 ℃ 사이에서 이러한 현상이 나타났으며, 표면저항의 값도 이 영역에서 급격하게 변하는 것을 관찰 할 수 있었다.


    Since 1950, the metal-insulator transition (MIT) in VO2 has incessantly been studied by many researchers. Vanadium oxides such as VO2 and V2O3 were well known as materials which occur an MIT at their transition temperature and the MIT in the oxides can be induced by heat, electric field, pressure, and stress. Recently, photo-assisted MIT in VO2 was reported, and by the result, the MIT temperature in VO2 was controlled by light power. In this study, photo-assisted MIT in VO2 films was investigated. VO2 films were prepared by rf sputtering method, and the current and resistance in films with and without light irradiation were measured. In result, the MIT temperature was significantly changed and the temperature was near 50 ℃. At near 50 ℃, abrupt change in current and resistance was observed, and the change was more enhanced by light irradiation.


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