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광 CVD에 의한 비정질 실리콘 박막 특성 향상
The improvement of characteristics for hydrogenated amorphous silicon thin films by photo-induced CVD

김용상    (서울대학교 전기공학과   ); 이성규    (서울대학교 전기공학과   ); 전명철    (서울대학교 전기공학과   ); 박진석    (서울대학교 전기공학과   ); 한민구    (서울대학교 전기공학과  );
  • 초록

    The purpose of this work is to investigate the interface characteristics of hydrogenated amorphous silicon thin films prepared by PECVD and photo-induced CVD and to examine the annealing effects of ultraviolet irradiation on hydrogenated amorphous silicon thin films which were degraded by visible light illumination. The interface layer thickness of films deposited by photo-induced CVD was about 600-900.angs. while that by PECVD was about 1000-1300.angs.. These results can show that the quality of interface layer in photo induced CVD film is better than that in PECVD sample. The electrical properties are improved by ultraviolet irradiation on visible light soaked a-Si:H films using photo-CVD light sources, probably due to the fact that UV generates phonons in a-Si:H films and anneal the meta stable defects.


  • 주제어

    수소화된 비정질 실리콘 .   광 CVD .   계면특성 .   열화 .   자외선.  

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