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전계발광소자 완충층용 ZnS 박막 제작 및 특성
Fabrications and properties of ZnS thin film used as a buffer layer of electroluminescent device

김홍룡    (전남대학교 전자공학과   ); 조재철    (전남대학교 전자공학과   ); 유용택    (전남대학교 전자공학과  );
  • 초록

    The role of ZnS buffer layer not only suppresses chemical reactions between emission material and insulating material but also alters the luminescence and the crystallinity of the emission layer, if ZnS buffer layer was sandwiched between emission layer and insulating layer of electroluminescent device. In this research, we fabricated ZnS thin film with rf magnetron sputter system by varying rf power 100, 200W, substrate temperature 100, 150, 200, 250.deg. C and post-annealing temperature 200, 300, 400, 500.deg. C and analysed X-ray diffraction pattern, transmission spectra and cross section by SEM photograph for seeking the optimal crystallization condition of ZnS buffer layer. As a result, increasing the rf power, the crystallinity of ZnS thin film was improved. It was found that the ZnS thin film had better properties than anything else when fabricated with the following conditions ; rf power 200W, substrate temperature 150.deg. C, and post-annealing temperature 400.deg. C. ZnS thin film had the transmittance more than 80% in visible range. So it is suitable to use as a buffer layer of electroluminescent devices.


  • 주제어

    전계발광 .   최대반치폭 .   우선방위 .   결정성 .   고주파스퍼트링 .   완충충.  

  • 이 논문을 인용한 문헌 (1)

    1. Lee, Ju-Hyeon ; Chae, Sang-Hoom ; Bhattarai, B.B. ; Kim, Hak-Soo ; Park, Sung 2001. "Characteristics of AC Power Electroluminescent Device with the Double Dielectric Layers of Thin and Thick Barium Titanate Films" 전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, 14(8): 679~687     

 저자의 다른 논문

  • 유용택 (15)

    1. 1975 "InSb 자속계의 제작과 그 특성에 관한 연구" 電子工學會誌 = Journal of the Korean Institute of Electronics Engineers 12 (6): 5~8    
    2. 1993 "EBE법으로 제작한 Se/CdS 이종접합의 특성" 센서학회지 = Journal of the Korean Sensors Society 2 (1): 87~94    
    3. 1994 "$CuInS_{2}$ 박막의 구조 및 전기적 특성" 센서학회지 = Journal of the Korean Sensors Society 3 (1): 78~82    
    4. 1994 "EBE법으로 제작한 $CuInS_{2}$ 박막 특성에 관한 연구" 센서학회지 = Journal of the Korean Sensors Society 3 (1): 83~87    
    5. 1994 "$SnO_2$/a-Se/AI 소자의 특성" 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 7 (1): 7~14    
    6. 1994 "열처리온도에 따른 CdS박막 특성" 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 7 (1): 49~56    
    7. 1995 "R.F. magnetron sputtering 법으로 제작한 ITO 박막의 특성" 센서학회지 = Journal of the Korean Sensors Society 4 (2): 51~57    
    8. 1995 "Al이 첨가된 Zinc Oxide박막의 투명전도막으로서의 응용" 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 8 (6): 693~698    
    9. 1995 "CaS:Eu,S 전계발광소자의 특성" 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 8 (6): 752~758    
    10. 1995 "COPLANAR WAVEGUIDE-형 LiNbO$_{3}$ 광변조기 전극설계 및 분석" 電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A a32 (12): 80~90    

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