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온도, 가스량 및 도핑시간변화에 따른 $POCI_3$ 도핑 공정의 최적화
Optimization of the $POCI_3$ doping process according to the variation of deposition temperature, gas flow rate and doping time

정경화    (㈜EBARA제작소   ); 강정진    (대유공전 전자통신과  );
  • 초록

    In this paper, We discuss the $POCI_3$ doping process according to the variation of deposition temperature, gas flow rate and doping time. The factors acted with $POCI_3$ doping are gas flow rate deposition temperature and time etc. Among them the temperature is the most important factor. For the $POCI_3$ flow rate, it should not exceed the resistivity saturation point developed on poly surface by annealing treatment. Therefore, this study suggests the optimum conditions of Poly-silicon treatments with the $POCI_3$ flow rate.


  • 주제어

    POCL3 주입 .   확산 .   다결정 실리콘 .   운반질소 .   저압화학기상증착.  

 활용도 분석

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