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서브마이크론 MOSFET의 파라메터 추출 및 소자 특성 II -제작된 소자의 특성-
Parameter Extraction and Device Characteristics of Submicron MOSFET'S(II) -Characteristics of fabricated devices-

서용진    (중앙대학교 전기공학과   ); 장의구    (중앙대학교 전기공학과  );
  • 초록

    In this paper, we have fabricated short channel MOSFETs with these parameters to verify the validity of process parameters extraction by DTC method. The experimental results of fabricated short channel devices according to the optimal process parameters demonstrate good device characteristics such as good drain current-voltage characteristics, low body effects and threshold voltage of $\leq$ +-.1.0V, high punch through and breakdown voltage of $\leq$ 12V, low subthreshold swing(S.S) values of $\leq$ 105mV/decade.


  • 주제어

    충돌전리 .   몸체효과 .   기판전류 .   서브쓰레쉬홀드.  

 저자의 다른 논문

  • 장의구 (57)

    1. 1992 "Twin-tub CMOS공정으로 제작된 서브마이크로미터 n채널 및 p채널 MOSFET의 특성" 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 5 (3): 320~327    
    2. 1993 "${N_2}O$ 가스로 열산화된 게이트 유전체의 특성" 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 6 (1): 55~62    
    3. 1993 "$N_2O$가스로 열산화된 게이트 산화막의 특성" 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 6 (3): 269~275    
    4. 1994 "$N_2{O}$가스로 재산화시킨 oxynitride막의 특성" 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 7 (1): 25~31    
    5. 1994 "서브마이크론 MOSFET의 파라메터 추출 및 소자 특성 (1)" 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 7 (2): 107~116    
    6. 1995 "매몰채널 pMOSFET소자의 서브쓰레쉬홀드 특성 고찰" 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 8 (6): 708~714    
    7. 1996 "$N_2O$가스를 사용하여 PECVD로 성장된 Oxynitride막의 특성" 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 9 (1): 9~17    
    8. 1996 "MERIE형 반응로를 이용한 AlSi의 식각 특성" 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 9 (2): 188~195    
    9. 1996 "비정질 실리콘 박막 트랜지스터 히스테리시스 특성의 온도의존성" 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 9 (3): 277~283    
    10. 1996 "DTC방법을 사용한 nMOSFET의 공정파라메터 추출 및 소자특성에 관한 연구" 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 9 (8): 799~805    

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