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실리콘 질화막의 산화
The oxidation of silicon nitride layer

정양희    (인하대학교 전자재료공학과   ); 이영선    (울산공업전문대학   ); 박영걸    (인하대학교 전자재료공학과  );
  • 초록

    The multi-dielectric layer $SiO_2$ / $Si_3{N_4}$ / $SiO_2$ (ONO) is used to improve charge retention and to scale down the memory device. The nitride layer of MNOS device is oxidize to form ONO system. During the oxidation of the nitride layer, the change of thickness of nitride layer and generation of interface state between nitride layer and top oxide layer occur. In this paper, effects of oxidation of the nitride layer is studied. The decreases of the nitride layer due to oxidation and trapping characteristics of interface state of multi layer dielectric film are investigated through the C-V measurement and F-N tunneling injection experiment using SONOS capacitor structure. Based on the experimental results, carrier trapping model for maximum flatband voltage shift of multi layer dielectric film is proposed and compared with experimental data. As a results of curve fitting, interface trap density between the top oxide and layer is determined as being $5{\times}10^11$ ~ $2{\times}10^12$ [ $eV^1$ $cm^2$ ].


  • 주제어

    기억장치 .   질화층 .   상층산화막 .   계면트랩.  

 저자의 다른 논문

  • 박영걸 (4)

    1. 1988 "MNOS 소자의 기억특성" 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 1 (3): 243~250    
    2. 1990 "MOS의 DLTS 신호특성과 계면트랩에 관한 연구" 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 3 (3): 195~204    
    3. 1993 "Avalnche주입에 따른 dry oxide와 wet oxide의 캐리어 트랩핑에 관한 연구" 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 6 (2): 115~120    
    4. 1994 "실리콘 다층절연막의 전기전도 특성" 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 7 (2): 145~151    

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