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In_{1-x}Ga_xP$의 깊은 준위 특성
Properties of deep levels in In_{1-x}Ga_xP$

김선태    (대전산업대학교 재료공학과   ); 문동찬    (광운대학교 전자재료공학과  );
  • 초록

    In this study, ln $_{1-x}$ Ga $_{x}$ P alloy crystal which has different compositions were grown by the temperature gradient solution(TGS) method, and the properties of deep levels were measured in the temperature range of 9OK-450K. We find the four deep levels of E $_{1}$ , E $_{2}$ (248meV), E $_{3}$ (386meV) and E $_{4}$ (618meV) in GaP, which has composition of Ga in In $_{1-x}$ Ga $_{x}$ P is one, and the trap densities of E $_{3}$ and E4 levels were 7.5*10 $^{14}$ cm $^{-3}$ and 9*10 $^{14}$ cm $^{-3}$ , respectively. A broad deep level spectra was revealed in In $_{1-x}$ Ga $_{x}$ P whose composition of Ga, x, were 0.56 and 0.83, and the activation energy and trap densities were about 430meV and 6*10 $^{14}$ cm $^{-3}$ , respectively.ectively.


  • 주제어

    인듐갈륨인 혼정 .   온도구배용액 .   깊은 준위 .   트랩밀도 .   활성화에너지.  

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    2. 1992 "GaP단결정의 성장과 특성에 관하여" 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 5 (3): 284~294    
    3. 1992 "급속열산화방법으로 형성된 InP 자연산화막의 특성" 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 5 (4): 385~392    
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    8. 1995 "III족 질화물 반도체의 실온 광여기 유도방출" 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 8 (3): 272~277    
    9. 1995 "변형된 SSD법에 의한 InP결정 성장" 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 8 (3): 291~297    
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