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비정질 $Se_{75}Ge_{25}$박막으로의 이온침투 현상 해석
An analysis of the ion penetration phenomena in amorphous $Se_{75}Ge_{25}$ thin film

이현용    (광운대학교 전자재료공학과   ); 정홍배    (광운대학교 전자재료공학과  );
  • 초록

    The bilayer film of Ag/a-S $e_{75.G}$ $e_{25}$ and the monolayer film of a-S $e_{75.G}$ $e_{25}$ act as a negative-type and a positive-type resist in focused ion beam lithography, respectively. Using a model which takes into account the ion stopping power, the ion projected range, the ion concentration implanted into resists and the ion transmission coefficient, etc., the ion resist parameters are calculated for a broad range of ion energies and implanted doses. Ion sources of A $r^{+}$ , S $i^{++}$ and G $a^{+}$ are used to expose resists. As the calculated results, the energy loss per unit distance by Ga' $^{+}$ ion is about 10 $^{3}$ [keV/.mu.M] and nearly constant for all energy range. Especially, the projected range and struggling for 80[keV] G $a^{+}$ ion energy are 0.0425[.mu.m] and 0.020[.mu.m], , respectively and the resist thickness of a-S $e_{75}$ G $e_{25}$ to minimize the ion penetration rate into a substrate is 0.118[.mu.m].u.m]..u.m].


  • 주제어

    집속이온빔 리소그라피 .   무기질 이온 레지스트 .   이온범위 .   Winterbon 근사 .   정지력.  

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  • 정홍배 (57)

    1. 1987 "증착각도를 달리한 무기질 $a-Se_{75}Ge_{25}$ 포토레지스트의 미세패턴형성" 電氣學會論文誌 = The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers 36 (9): 636~639    
    2. 1988 "Te-Se 칼코게나이드박막의 열화에 관한 연구" 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 1 (1): 62~69    
    3. 1988 "무기질 a-$Se_{75}Ge_{25}$ 박막을 이용한 네가티브형 포토레지스트의 특성연구" 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 1 (4): 295~302    
    4. 1993 "증착각도에 따른 $As_{40}Se_{15}S_{35}Ge_{10}$박막의 비정질상 변화에 관한 연구" 韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society 2 (1): 85~91    
    5. 1994 "저 에너지 이온빔 조사에 따른 비정질 $Se_{75}Ge_{25}$ 박막의 광학적 특성" 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 7 (2): 100~106    
    6. 1995 "광기록에 이용되는 Te-based media에 대한 열적 해석" 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 8 (1): 64~70    
    7. 1995 "이온 교환 채널 유리 도파로의 도파광 분포특성" 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 8 (3): 332~339    
    8. 1995 "광노출에 따른 Ag도핑 메카니즘 해석" 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 8 (4): 472~477    
    9. 1996 "$K^+$ 이온교환 도파로형 광결합기의 모델링 및 특성" 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 9 (3): 259~264    
    10. 1996 "비정질 $As_{10}Ge_{15}Te_{75}$박막의 D.C. 스위칭 임계전압 특성" 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 9 (8): 813~818    

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