본문 바로가기
HOME> 논문 > 논문 검색상세

논문 상세정보

선택적 LPE방법에 의한 GaAs가판 상의 InP이종접합 박막의 성장
Growth of Heteroepitaxial InP/GaAs by selective liquid phase epitaxy

이병택    (전남대학교 금속공학과   ); 안주헌   (전남대학교 금속공학과  ); 김동근    (전남대학교 금속공학과   ); 안병찬    (전남대학교 금속공학과   ); 남산    (전자통신연구소 물성분석실   ); 조경익    (전자통신연구소 물성분석실   ); 박인식    (금성전선 광통신연구소   ); 장성주    (통신대학교 물리학화  );
  • 초록

    선택적 LPE방법을 이용하여 (111)B GaAs 기판 상에 InP연속 박막을 성장하고 그 특성을 평가하였다. 적정 LPE성장조건으로 성장온도 $660^{\circ}C$ , 과냉도 $5^{\circ}C$ , 냉각속도 $0.4^{\circ}C$ /min였으며, 연구된 온도 범위에서 성장온도가 증가할수록 표면형상이 개선되었고 ELO의 넓이가 증가하였다. Seed방향이 방향에서 110-160 $\mu \textrm{m}$ 정도의 최대 ELO 넓이가 얻어졌으며 60-80 $\mu \textrm{m}$ 정도의 마스크 간격에서 연속박막을 용이하게 성장할 수 있었다. LPE 성장초기에 기판 용해 현상이 발생하였으며 이에 따라 성장박막의 조성이 대략 $In_{0.85}Ga_{0.15}$ As $_{0.01}P{0.99}$ 으로 변화하고 InP/GaAs계면 및 박막 표면형상이 거칠어졌으나 기판의 성장 부위가 제한됨에 따라 통상적인 LPE박막에 비교하여 매우 개선된 표면형상을 얻을 수 있었다. 두개의 성장융액을 이용하여 1차 박막성장 후 다시 InP 박막을 성장하는 2단성장 방법을 사용하여 순수한 InP/GaAs박막을 성장할 수 있었으며 단면 TEM분석 결과 SLPE성장박막으로 전파하는 활주전위는 산화막 마스크에 의해 효과적으로 차단됨을 알 수 있었다.


    Heteroepitaxial InP/GaAs layers were grown using the selective liquid phase epitaxy (SLPE) technique. It was observed that the optimum LPE conditions were $660^{\circ}C$ growth temperature, $5^{\circ}C$ supercooling, and $0.4^{\circ}C$ /min cooling rate. Maximum expitaxial layer overgrowth (ELO) of 110-160 $\mu \textrm{m}$ was obtained when the seed was aligned along (112) orientation. Initial melt-back of the substrate was observed but limited to the seed region so that flat In-Ga-As-P layers were grpwn throughout the GaAs substrates. The InP/GaAs heteroepitaxial structure could be obtained by growing an additional InP layer on top of the In-Ga-As-P layer.


  • 참고문헌 (14)

    1. Y. Suzuki;T. Nishinaga , Jpn. J. Appl. Phys. / v.28,pp.440,
    2. D. K. Kim;H. J. Lee;B. -T. Lee;C. W. Tu(ed.);L. A. Kolodziejski(ed);V. R. Mccrary(ed) , Porc. Mat. Res.Soc. Symp. Pro. / v.340,pp.,
    3. T. Nishinaga;T. Nakano;S. Zhang , Jpn. J. Appl. Phys. / v.27,pp.L964,
    4. M. K. Lee;D. S. Wuu;H. H. Tung , J. Appl. Phys. / v.65,pp.3209,
    5. R. L. Moon;G. A. Antypas;L. W. James , J. Elec. Mat. / v.3,pp.635,
    6. I. Ladany;F. Z. Hawrylo , J.Cryst. Growth / v.54,pp.69,
    7. 정이선;안주헌;장일호;이병택;이형종;장성주 , 새물리 / v.31,pp.436,
    8. S. Sakai;R. J. Matyi;H. Shichijo , J. Appl.Phys. / v.63,pp.1075,
    9. R. Bergmann;E. Bauser;J. H. Werner , Appl. Phys. Lett / v.57,pp.351,
    10. S. R. Collins;A. M. Barrett , Technical Report / v.,pp.,
    11. S. Zhang;T. Nishinaga , J. Cryst. Growth / v.99,pp.292,
    12. J. P. Van der Ziel;R. A. Logan;N. Chand , J. Appl. Phys. / v.64,pp.3201,
    13. S. N. G. Chu;W. T. Tsang;T. H. Chiu;A. T. Macrander , J. Appl. Phys. / v.66,pp.520,
    14. P. Demeester;A. Ackaert;G. Coudenys;I. Moerman;L. Buydens;I. Pollentier;P. Van Daele , Prog Crystal Growth and Charact. / v.22,pp.53,

 저자의 다른 논문

  • Lee, Byung-Teak (10)

    1. 1994 "액상에피택시 방법에 의한 InP기판상의 GaAs 이종접합 박막 성장" 한국재료학회지 = Korean journal of materials research 4 (5): 600~607    
    2. 1997 "화학증착 방법으로 Si(001)기판 상에 성장된 3C-SiC 이종접합 박막의 투과전자현미경 및 라만 특성분석" 한국재료학회지 = Korean journal of materials research 7 (8): 654~659    
    3. 1997 "$Cl_2/CH_4/H_2$ 혼합기체를 이용한 InP 소재의 반응성 이온 에칭에 관한 연구" 韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society 6 (3): 282~286    
    4. 1998 "열처리에 따른 W 박막과 6H-SiC의 계면반응에 관한 연구" 한국재료학회지 = Korean journal of materials research 8 (6): 545~550    
    5. 1998 "$CH_4/H_2$유도결합 플라즈마를 이용한 InP의 건식 식각에 관한 연구" 韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society 7 (2): 161~168    
    6. 1999 "마그네트론 스퍼터링 증착 조건에 따른 $\textrm{SnO}_2$ 박막의 미세구조와 가스검지특성 변화" 한국재료학회지 = Korean journal of materials research 9 (11): 1083~1087    
    7. 1999 "$BCl_3/O_2/Ar$ 유도결합 플라즈마를 이용한 InP의 건식 식각에 관한 연구" 韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society 8 (b4): 541~547    
    8. 2000 "분위기 열처리가 Ca-doped Y $CrO_3$의 전기적 특성에 미치는 영향" 한국재료학회지 = Korean journal of materials research 10 (8): 540~544    
    9. 2000 "$BCI_3/H_2/Ar$ 유도결합 플라즈마를 이용한 GaN의 건식 식각에 관한 연구" 한국재료학회지 = Korean journal of materials research 10 (3): 179~183    
    10. 2003 "기판 종류에 따른 박막형 SnO2 가스 센서의 응답특성" 한국재료학회지 = Korean journal of materials research 13 (2): 111~114    
  • 김동근 (6)

 활용도 분석

  • 상세보기

    amChart 영역
  • 원문보기

    amChart 영역

원문보기

무료다운로드
  • NDSL :
유료다운로드

유료 다운로드의 경우 해당 사이트의 정책에 따라 신규 회원가입, 로그인, 유료 구매 등이 필요할 수 있습니다. 해당 사이트에서 발생하는 귀하의 모든 정보활동은 NDSL의 서비스 정책과 무관합니다.

원문복사신청을 하시면, 일부 해외 인쇄학술지의 경우 외국학술지지원센터(FRIC)에서
무료 원문복사 서비스를 제공합니다.

NDSL에서는 해당 원문을 복사서비스하고 있습니다. 위의 원문복사신청 또는 장바구니 담기를 통하여 원문복사서비스 이용이 가능합니다.

이 논문과 함께 출판된 논문 + 더보기