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Si기판 세정조건에 따른 산화막의 특성연구
A Study on characteristics of thin oxides depending on Si wafer cleaning conditions

전형탁   (한양대학교 금속공학과  ); 강응렬   (현대전자  ); 조윤성   (현대전자  );
  • 초록

    Gate oxide의 특성은 세정공정에서 사용된 last세정용액에 큰 영향을 받는다. Standard RCA, HF-last, SCI-last, and HF-only 공정들은 gate oxidation하기 전 본 실험에서 행해진 세정공정들이다. 세정공정을 마친 Si기판들은 oxidation furnace에서 $900^{\circ}C$ 로 thermal oxidation공정을 거치게 된다. 100 $\AA$ 의 gate oxide를 성장시킨 후 lifetime detector, VPD, AAS, SIMS, TEM, 그리고 AFM고 같은 분석장비를 이용하여 oxide의 특성을 평가했다. HF-last와 HF-only 공정에 의해 금속 불순물들이 매우 효과적으로 제거됐음을 알 수 있었다. Oxide의 표면 및 계면 형상은AFM과 TEM 측정을 통하여 관찰하였다. 표면거칠기는 SCI 세정용액을 사용한 splits 실험에서 불균일함이 관찰되었고 HF-only세정공정을 거친 시편 및 계면이 가장 smooth했다.


    The characteristics of gate oxide significantly depend on the last chemical solution used in cleaning process. The standard RCA, HF-last, SC1-last, and HF-only processes are the pre-gate oxide cleaning processes utilized in this experiment. Cleaning process was followed by thermal oxidation in oxidation furnace at $900^{\circ}C$ . A 100 $\AA$ gate oxide was grown and characterized with using lifetime detector, VPD AAS, SIMS, TEM, and AFM. The results of HF-last and HF-only were shown to be very effective to remove the metallic impurities. And these two splits also showed long minority carrier lifetimes. The surface and interface morphologies of the oxide were examined with AFM and TEM. The rough surface morphologies were observed with the cleaning splits containing the SC1 solution. The smooth surface and interface was observed with the HF-only cleaning process.


  • 참고문헌 (21)

    1. G. Gould;E.A. Irene , J. Electrochem. Soc. / v.134,pp.,
    2. C.R. Helms;B.E. Deal , J. Vac. Sci. Technol. / v.A10,pp.,
    3. Y. Ma;T. Yasuda;S. Habermehl;S.S. He;D.J. Stephens;G. Locovsky , Mat. Res. Soc. Symp. Proc. / v.259,pp.,
    4. H. Mishima;T. Yasui;T. Mizuniwa;M. Abe;T.Ohmi , IEEE Trans. Semoicond. Maunfact. / v.2,pp.,
    5. H. Kikyuama;N. Miki;K. Saka;J. Takano;I. Kawanabe;M. Miyashita;T. Ohmi , IEEE Trans. Semicond. Maunfact. / v.4,pp.,
    6. R.A. Bowling;S.C. O’Brien;L.M. Loewenstein;M.H. Bennett;B.K. Bohannon , Solid State Technology / v.37,pp.61,
    7. T. Ohmi;M. Miyashita;M. Itano;T. Imaoka;I. Kawanabe , IEEE Trans. Electron Devices / v.39,pp.,
    8. M. Hirose;T. Yasaka;M. Takakura;S. Miyazaki , Solid State Technology / v.34,pp.43,
    9. T. Hattori , Solid State Technology / v.33,pp.S1,
    10. V.B. Menon;L.D. Michaels;R.P. Donovan;D.S. Ensor , Solid State Technology / v.32,pp.S7,
    11. J.S. Montgomery;J.P. Barnak;A. Bayoumi;J.R. Hauser;R.J. Nemanich , ECS Symp. Proc. / v.94,pp.296,
    12. F. Shimura; T. Okui;T.Kusama , J. Appl. Phys. / v.67,pp.,
    13. B. Anthony;L. Breaux;T. Hsu;S. Banerjee;A. Tasch , J. VAc. Sci. Technol. / v.B7,pp.,
    14. G. Zoth;W. Bergholz , J. Appl. Phys. / v.67,pp.,
    15. W. Kern , J. Electrochem. Soc. / v.137,pp.,
    16. W. Kern;D.A. Poutinen , RCA Rev. / v.187,pp.,
    17. S. Verhaverbeke;M. Meuris;P. Mertens;H. Schmidt;M.M. Heyns;A. Philipossian;D. Graf;K. Dillenbeck , ECS Symp. Proc. / v.93,pp.199,
    18. J. Cho;T.P. Schneider;J. van der Weide;H. Jeon;R.J. Nemanich , Appl. Phys. Lett / v.59,pp.,
    19. M. Wang;M.M. Moslehi;D.W. Reed , J. Electrochem. Soc. / v.138,pp.,
    20. M. Morita;T. Ohmi;E. Hasegawa;M. Kawakami;K. Summa , Appl. Phys. Lett. / v.55,pp.,
    21. N. Miki;H. Kikuyama;I. Kawanabe;M. Miyashita;T. Ohmi , IEEE Trans. Electron Devices / v.37,pp.,

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    1. 1983 "Al-Cu첨가(添加)에 의(依)한 CV흑연주철(黑鉛鑄鐵)에 관한 기초연구" 주조 = Journal of the Korean Foundrymen's Society 3 (4): 239~247    
    2. 1992 "초청정한 Si 기판 위에서 Ti의 초기 반응" 분석과학 = Analytical science & technology 5 (3): 303~308    
    3. 1994 "초청정 Si기판에 동시 증착된 $TiSi_2$ 의 상전이 및 형성" 한국재료학회지 = Korean journal of materials research 4 (1): 107~112    
    4. 1994 "C49 $TiSi_2$상의 에피구조 및 상안정성" 한국재료학회지 = Korean journal of materials research 4 (2): 136~142    
    5. 1995 "$TiSi_2$의 상전이에 미치는 박막의 두께 및 기판의 방위의 영향" 한국재료학회지 = Korean journal of materials research 5 (7): 820~828    
    6. 1996 "HF-last Cleaning에서 SC-1 step과 $UV/O_3$ step이 gate 산화막에 미치는 영향" 한국재료학회지 = Korean journal of materials research 6 (4): 395~400    
    7. 1996 "리모트 수소 플라즈마를 이용한 Si 표면의 금속오명 제거" 한국재료학회지 = Korean journal of materials research 6 (7): 661~670    
    8. 1996 "리모트 수소 플라즈마를 이용한 Si 기판 위의 Cu 불순물 제거" 한국재료학회지 = Korean journal of materials research 6 (8): 817~824    
    9. 1996 "금속불순물 제거를 위한 UV/ozone과 HF 세정연구" 한국재료학회지 = Korean journal of materials research 6 (11): 1127~1135    
    10. 1997 "$Nb_2O_5$를 첨가한 $SrTiO_3$의 비정상 입성장에 미치는 Ti/Sr 비의 영향" 요업학회지 = Journal of the Korean Ceramic Society 34 (8): 791~796    

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