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컴퓨터 시스템에 의한 저온에서의 질소가스(G$N_2$)에 대한 방전특성측정

이광식    (영남대 공대 전기공학과   ); 주재현    (영남대 공대 대학원 전기공학과   ); 이동인    (영남대 공대 전기공학과   ); 김인식    (경북산업대 전기공학과  );
  • 초록

    본 연구는 전온하의 질소가스에서 구대 평판전극을 사용하여 온도변화([ $0^{\circ}C$ ]~[ $80^{\circ}C$ ]와 전극간 거리(d=1.0, 2.0, 3.0[mm])를 변환시켰 을 때의 방전트성을 연구하였다. 본 연구에서 얻은 중요한 결론은 다음과 같다. \circled1 온도가 저하함에 따라 절연파괴전압(VB)은 상승한다. \circled2 온도를 강하시킴에 따라 방전지속시간(t)이 길어진다. \circled3 전극의 불평등성이 클수록 절연파괴전압(VB)의 온도의존성이 커진다. \circled4 절연파괴 전계강도(EB)는 다음식으로 표현할 수 있다. 여기서, A, B 및 C는 상수이며 그 값은 다음표와 같다. EB= $AT^2$ +BT+C(EB: 절연파괴 전계강도[kV/mm], T: 측정시의 온도[ $^{\circ}C$ ]).


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