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Hot-Wall Epitaxy에 의한 CdTe(100) 박막의 성장과 광전류 특성
Growth of CdTe(100) Epilayers by Hot-Wall Epitaxy and Photocurrent Characterization

신현길    (전북대학교 물리학과   ); 신영진    (전북대학교 물리학과   ); 문종대    (동신대학교 물리학과  );
  • 초록

    -Hot-wall epitaxy 방법에 의하여 GaAs(100) 기판위에 CdTe(100)박막을 성장하였다. 박막을 성 장하는 동안 기판의 온도는 28 $0^{\circ}C$ 증발원의 온도는 $430^{\circ}C$ 로 유지하였고 성장률은 $2mu$ m/h이었다. 박막의 두께가 증가함에 따라 격자상수와 2결정 X-선 요동곡선의 반폭치가 감소하였다. CdTe (100) 박막의 광 전류 스펙트럼으로부터 에너지 띠간격의 광전류 봉우리는 가전자대 8 에 있는 전자가 광흡수에 의해 전도대 6 전이한 것이며 에너지 띠간격의 온도의존성을 구한 결과 온도계수 a=-2.3~-3.5 x 10-4 ev/k.


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  • 신현길 (10)

    1. 1993 "CBD 방법에 의한 CdS 박막의 성장과 광전도 특성" 센서학회지 = Journal of the Korean Sensors Society 2 (1): 3~10    
    2. 1993 "Chemical Bath Deposition 방법으로 제작한 CdSe 박막의 특성" 센서학회지 = Journal of the Korean Sensors Society 2 (1): 81~86    
    3. 1993 "광전도체의 CdS 단결정 성장과 물리적 특성" 센서학회지 = Journal of the Korean Sensors Society 2 (1): 109~115    
    4. 1993 "승화법에 의한 CdS 단결정 성장" 한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology 3 (2): 125~130    
    5. 1993 "Hot-Wall Evaporation Technique으로 성장된 CdS 박막의 광전도 셀 특성" 韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society 2 (1): 73~77    
    6. 1993 "HWE 방법에 의한 ZnSe/ZnSe(bulk) 박막 성장" 韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society 2 (1): 78~84    
    7. 1993 "$n-CdS_{0.46}Se_{0.54}/p-Cu_{2-X}S_{0.46}Se_{0.54}$ 이종접합 태양전지의 제작과 그 특성에 관한 연구" 태양에너지 = Solar energy 13 (1): 49~58    
    8. 1995 "$Cd_{1-x}Zn_{x}S$ 박막의 성장과 광전도 특성" 센서학회지 = Journal of the Korean Sensors Society 4 (3): 60~70    
    9. 1995 "CBD 방법에 의한 $CdS_{1-x}Se_{x}$ 박막의 열처리에 따른 광전기적 특성" 센서학회지 = Journal of the Korean Sensors Society 4 (1): 51~63    
    10. 1997 "$CuInTe_2$ 단결정 성장과 특성연구(II)" 한국결정학회지 = Korean journal of crystallography 8 (1): 48~58    
  • 신영진 (22)

  • 문종대 (16)

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