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고품위 다이아몬드 박막의 증착과 박막 성장양식
Deposition of high Quality diamond Thin Film and the Film Growth Mode

김성훈    (삼성종합기술원 신소재연구실   ); 박영수    (삼성종합기술원 신소재연구실   ); 정상기    (삼성종합기술원 신소재연구실   ); 송세안    (삼성종합기술원 시험분석실   ); 윤석열    (삼성종합기술원   ); 이조원    (삼성종합기술원 신소재연구 실  );
  • 초록

    전체 압력을 변화시키면서 다이아몬드박막을 n형 Si(100) 기판 위에 마이크로 웨이브 화학기상 증착법으로 증착하였다. 높은 압력으로 (225 torr)증착된 박막은 낮은 압력(60 torr)의 박막보다 다이아몬 드 순수도가 향상되었으며 표면도 매끈한 {100}형상이 우세하였다. 다이아몬드 박막의 성장양식을 알아 보기 위하여 낮은 압력(600torr)과 높은 압력(225 torr)에서 증착된 박막의 미세구조를 투과전자현미경으 로 각각 분석하였다. 전체압력이 낮은 경우 박막과 기판의계면에는 a-SiC의 중간층이 형성되어 있는 것 을 확인하였으며 전체압력이 높은 경우의 박막은 evolutionary selection rule에 따라 성장하는 것으로 추론되었다.


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