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Si(100) 메사 구조위에 성장시킨$ Ge_xSi_{1-x}$ 층에서의 응력 풀림
Strain Relief of$ Ge_xSi_{1-x}$ (100) Mesa Structure

강윤호    (서울대학교 물리학과   ); 국양    (서울대학교 물리학과  );
  • 초록

    기판의 크기에 따른 Strained Layer에서의 응력 풀림 현상을 연구하기 위하여 마이크론 이하에 서 50 마이크론의 크기를 가지는 메사 구조를 제작하였다. 제작된 메사 구조위에 성장시킨 GeSi층은 마 이크로 Raman, XPS, I-V와 C-V측정에 의하여 응력의 풀림현상을 관찰하였다. 이 실험을 통하여 메사 구조 위에 성장시킨 GexSi1-x 층에서의 응력풀림이 편평한 기판위에 성장시킨 경우에 비하여 원활하였 다. 이것은 메사 구조의 가장자리에 Strain Dislocation 이 편중되는 것으로 이해될수 있다.


 저자의 다른 논문

  • 국양 (2)

    1. 1993 "Si(100)와 Si(111) 표면의 Ge 에피 성장 연구" 韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society 2 (2): 161~165    
    2. 1995 "Scaling 형태분석을 통한 Fe/Cu(001)계의 혼합 여부 결정" 韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society 4 (3): 270~274    

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