본문 바로가기
HOME> 논문 > 논문 검색상세

논문 상세정보

SC PMOSFET의 수평 전개 모델과 노쇠화 메카니즘
Lateral Electric Field Model and Degradation Mechanism of surface-Channel PMOSFET's

양광선    (연세대학교 전자공학과   ); 박종태    (인천대학교 전자공학과   ); 김봉렬    (연세대학교 전자공학과  );
  • 초록

    In this paper, we present the analytical models for the change of the lateral electric field distribution and the velocity saturation region length with the electron trapping of stressed SC-PMOSFET in the saturation region. To derive the hot-electron-induced lateral electric field of stressed SC-PMOSFET. Ko's pseudo two dimensional box model in the saturation region which illustrates the analysis of the velocity saturation region is modified under the condition of electron trapping in the oxide near the drain region. From the results, we have the following lateral electric field in the y-direction, that is, E(y) ES1satT.cosh(y/l) qNS1tT.sinh(y/l)/lCox. It is shown that the trapped electrons influence the field in the drain region. decreasing the lateral electric field. Calculated velocity saturaion length increases with the trapped electrons. increasing the drain current of stressed SCPMOSFET. This results well explain the HEIP phenomenon of PMOSFET's.


 저자의 다른 논문

  • 양광선 (7)

    1. 1991 "급속 열처리 방법으로 성장한 재 산화된 질화 산화막의 전기적 특성 향상" 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 4 (2): 175~184    
    2. 1994 "수정된 수평 전개 모델을 이용한 SC-PMOSFET의 기판 전류와 게이트 전류의 해석적 모델" 電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A a31 (1): 48~53    
  • 박종태 (58)

  • 김봉렬 (29)

 활용도 분석

  • 상세보기

    amChart 영역
  • 원문보기

    amChart 영역

원문보기

무료다운로드
  • NDSL :
유료다운로드

유료 다운로드의 경우 해당 사이트의 정책에 따라 신규 회원가입, 로그인, 유료 구매 등이 필요할 수 있습니다. 해당 사이트에서 발생하는 귀하의 모든 정보활동은 NDSL의 서비스 정책과 무관합니다.

원문복사신청을 하시면, 일부 해외 인쇄학술지의 경우 외국학술지지원센터(FRIC)에서
무료 원문복사 서비스를 제공합니다.

NDSL에서는 해당 원문을 복사서비스하고 있습니다. 위의 원문복사신청 또는 장바구니 담기를 통하여 원문복사서비스 이용이 가능합니다.

이 논문과 함께 출판된 논문 + 더보기