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적외선 레이저의 간섭현상을 이용한 실리콘 웨이퍼의 온도 측정
Monitoring of Silicon Wafer Temperature by IR Laser Interfermetry

김재성    (서울대학교 전기공학과   ); 이석현    (서울대학교 전기공학과   ); 황기웅    (서울대학교 전기공학과  );
  • 초록

    We used IR laser inteferometric technique for measuring the temperature of wafer during cryogenic ECR etching. Using this technique, the effect of RF bias power and microwave power on the wafer temperature during etching period is investigated. As the RF bias power and microwave power was increased, the temperature of the wafer considerably increased and we concluded that to prevent the increase of substrate temperature during etching period, an adequate wafer cooling is needed.


 저자의 다른 논문

  • 김재성 (3)

    1. 2001 "고효율 PDP 기술 동향" 한국정보디스플레이학회지 2 (4): 13~18    
    2. 2002 "고화질 PDP의 기술 동향" 인포메이션 디스플레이 = Information display 3 (6): 13~18    
    3. 2002 "A Modified Ramp Reset Waveform for High Contrast Ratio in AC PDPs" Journal of information display 3 (4): 13~18    
  • Whang, Ki-Woong (41)

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