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$Hg_{1-x}Cd_{x}$Te photovoltaic 대형 적외선 감지 소자의 제작
Fabrication of a Large-Area $Hg_{1-x}Cd_{x}$Te Photovoltaic Infrared Detector

정한    (한국과학기술원 전기 및 전자공학과   ); 김관    (한국과학기술원 전기 및 전자공학과   ); 이희철    (한국과학기술원 전기 및 전자공학과   ); 김재묵    (국방과학연구소  );
  • 초록

    We fabricated a large-scale photovoltaic device for detecting-3-5 $\mu$ m IR, by forming of n $^{+}$ -p junction in the $Hg_{1-x}Cd_{x}$ Te (MCT) layer which was grown by LPE on CdTe substrate. The composition x of the MCT epitaxial layer was 0.295 and the hole concentration was 1.3 ${\times}10^{13}/cm^{4}$ . The n $^{+}$ -p junction was formed by B+ implantation at 100 keV with a does 3 ${\times}10^{11}/cm^{2}. The n $^{+}$ region has a circular shape with 2.68mm diameter. The vacuum-evaporated ZnS with resistivity of 2 ${\times}10^{4}{\Omega}$ cm is used as an insulating layer over the epitaxial layer. ZnS plays the role of the anti-reflection coating transmitting more than 90% of 3~5 $\mu$ m IR. For ohmic contacts, gole was used for p-MCT and indium was used for n $^{+}$ -MCT. The fabrication took 5 photolithographic masks and all the processing temperatures of the MCT wafer were below 90 $^{\circ}C$ . The R,A of the fabricated devices was 7500 ${\Omega}cm^{2}$ . The carrier lifetime of the devices was estimated 2.5ns. The junction was linearly-graded and the concentration slope was measured to be 1.7 ${\times}10^{17}/{\mu}m$ . the normalized detectivity in 3~5 $\mu$ m IR was 1 ${\times}10^{11}cmHz^{12}$ /W, which is sufficient for real application.


 저자의 다른 논문

  • 정한 (1)

    1. 1994 "p-$Hg_{0.7}$$Cd_{0.3}$Te에 낮은 저항의 접촉을 얻는 방법에 대한 연구" 電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A a31 (10): 87~93    
  • 김관 (2)

  • 이희철 (15)

  • 김재묵 (8)

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