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초고진공 전자 사이클로트론 공명 화학 기상증착장치의 제작과 수소 플라즈마를 이용한 실리콘 기판 표면 세정화
Manufacturing of Ultrahigh Vacuum Electron Cyclotron Resonance Chemical Vapor Deposition Reactor and Si Wafer Surface Cleaning by Hydrogen Plasma

황석희    (서울대학교 전기공학과   ); 태흥식    (서울대학교 전기공학과   ); 황기웅    (서울대학교 전기공학과  );
  • 초록

    The Ultrahigh Vacuum Electron Cyclotron Resonance Chemical Vapor Deposition(UHV-ECRCVD) system whose base pressure is 1 ${\times}10^{9}$ torr has been constructed. In-situ cleaning prior to the epitaxial growth was carried out at 56 $0^{\circ}C$ by ECR generated uniform hydrogen plasma whose density is $10^{10}/cm{3}$ . The natural oxide was effectively removed without damage by applying positive DC bias(+10V) to the substrate. RHEED(Reflection High Energy Electron Diffraction) analysis has been used to confirm the removal of the surgace oxide and the streaky 2 $\times$ 1 reconstruction of the Si surface, and the suppression of the substrate damage is anaylized by X-TEM(cross-sectional Transmission Electron Microscopy). Surface cleaning technique by ECR hydrogen plasma confirmed good quality epitaxial growth at low temperature.


 저자의 다른 논문

  • 황석희 (2)

    1. 1993 "초고진공 전자 사이클로트론 화학 기상 증착 장치에 의한 저온 실리콘 에피 성장에 기판 DC 바이어스가 미치는 영향" 韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society 2 (4): 501~506    
    2. 1995 "UHV-ECRCVD를 이용한 SiGe 저온에피성장 및 임계두께에 관한 연구" 韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society 4 (s1): 196~201    
  • Whang, Ki-Woong (41)

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