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분산된 p형 및 n형 반도체 입자의 도핑 효과와 반도체 동작
Doping Effects and Semiconductor Behaviors of the Dispersed p- and n- type Semiconductor Particles

천장호    (광운대학교 전자공학과   ); 손광철    (광운대학교 전자공학과   ); 라극환    (광운대학교 전자공학과   ); 조은철    (삼성종합연구소  );
  • 초록

    Doping effects and semiconductor behaviors of the dispersed p- and n-Si, p- and n- GaAs particles in the aqueous electrolyte have been studied using microelectrophoretic, voltammetric and chronoamperometric techniques. The cations (K $^{+}$ ) are adsorbed on both the p- and n- Si particle surfaces regardless of the sign of space charges in the depletion layers, i.e. doping profiles. The surface states are negatively charged acceptor states. On the other hand, the anions (CI $^{-}$ ) are adsorbed on both the p- and n- GaAs particle surfaces regardless of the sign of space charges in the depletion layers, i.e. doping profiles. The surface states are positively charged donor states. Under the same conditions, electrophoretic mobilities, electrochemical processes, doping effects and related semiconductor behaviors of the Si and the GaAs particles are similar regardless of the doping profiles, i. e. dopants and doping concentrations. The doping effects and related semiconductor behaviors of the dispersed p- and n- type semiconductor particles are gradually lost with decreasing dimensions.


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  • 손광철 (8)

  • 나극환 (57)

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