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LSI급 소자 제작을 위한 3인치 GaAs MBE 에피택셜 기판의 균일도 특성 연구
A Study on Characteristics of Si doped 3 inch GaAs Epitaxial Layer Grown by MBE for LSI Application

이재진    (한국전자통신연구소 반도체연구단   ); 이해권    (한국전자통신연구소 반도체연구단   ); 맹성재    (한국전자통신연구소 반도체연구단   ); 김보우    (한국전자통신연구소 반도체연구단   ); 박형무    (한국전자통신연구소 반도체연구단   ); 박신종    (한국전자통신연구소 반도체연구단  );
  • 초록

    The characteristics of 3 inch wafer scale GaAs epitaxial wafer grown by molecular beam epitaxy for LSI process application were studied. The thickness and doping uniformity are characterized and discussed. The growth temperature and growth rate were $600^{\circ}C$ by pyrometer, and 1 $\mu$ m/h, respectively. It was found that thickness and doping uniformity were 3.97% and 4.74% respectively across the full 3 inch diameter GaAs epitaxial layer. Also, ungated MESFETs have been fabricated and saturation current measurement showed 4.5% uniformity on 3 inch, epitaxial layer, but uniformity of threshold voltage increase up to 9.2% after recess process for MESFET device.


 저자의 다른 논문

  • 이재진 (10)

    1. 1994 "GaAs/AlGaAs HEMT소자의 제작 및 특성" 電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A a31 (9): 114~120    
    2. 1995 "OPTIMUM BUFFER STRUCTURE OF LOW-HIGH DOPED GaAs MESFET's GROWN BY MOLECULAR BEAM EPITAXY" Fabrication and Characterization of Advanced Materials 2 (e4): 1111~1115    
    3. 1995 "MBE에 의한 HEMT 소자용 $In_{0.53}Ga_{0.47}As/In_{0.52}AI_{0.48}$As/InP 에피택셜층 성장 연구" 韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society 4 (2): 177~182    
    4. 1995 "MBE에 의한 HEMT 소자용 $In_{0.53}Ga_{0.47}As/In_{0.52}AI_{0.48}$As/InP 에피택셜층 성장 연구" 韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society 4 (2): 177~182    
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    6. 1995 "3.3V 동작 68% 효율, 디지털 휴대전화기용 고효율 GaAs MESFET 전력소자 특성" 電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A a32 (6): 41~50    
    7. 1997 "A Low Distortion and Low Dissipation Power Amplifier with Gate Bias Control Circuit for Digital/Analog Dual-Mode Cellular Phones" ETRI journal 19 (2): 35~47    
    8. 1997 "分子線에피택셜 方法으로 成長한 I $n_{0.53}$GaTEX>$_{0.47}$As/InTEX>$</TEX>_{0.52}$</TEX>AlTEX>$_{0.48}$</TEX>As/InP P-HEMT 構造內의 V 및 X字形 缺陷에 關한 硏究" 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D d34 (7): 56~61    
    9. 1999 "$WN_x$ Self-Align Gate GaAs LDD MESFET의 제작 및 특성" 韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society 8 (b4): 536~540    
    10. 2000 "2.4 GHz WLL 단말기용 GaAs MESFET MMIC 송신기 설계 및 제작" 韓國電磁波學會論文誌 = The journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science 11 (1): 84~92    
  • 이해권 (7)

  • 맹성재 (7)

  • 김보우 (11)

  • 박형무 (21)

  • 박신종 (1)

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