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SOI MOSFET의 단채널 효과를 고려한 문턱전압과 I-V특성 연구
A Study on Threshold Voltage and I-V Characteristics by considering the Short-Channel Effect of SOI MOSFET

김현철    (금성일렉트론 연구소   ); 나준호    (인하대학교 전자공학과   ); 김철성    (인하대학교 전자공학과  );
  • 초록

    We studied threshold voltages and I-V characteristics. considering short channel effect of the fully depleted thin film n-channel SOI MOSFET. We presented a charge sharing model when the back surface of short channel shows accumulation depletion and inversion state respectively. A degree of charge sharing can be compared according to each of back-surface conditions. Mobility is not assumed as constant and besides bulk mobility both the mobility defined by acoustic phonon scattering and the mobility by surface roughness scattering are taken into consideration. I-V characteristics is then implemented by the mobility including vertical and parallel electric field. kThe validity of the model is proved with the 2-dimensional device simulation (MEDICI) and experimental results. The threshold voltage and charge sharing region controlled by source or drain reduced with increasing back gate voltage. The mobility is dependent upon scattering effect and electric field. so it has a strong influence on I-V characteristics.


 저자의 다른 논문

  • 김현철 (1)

    1. 1992 "Convex 구조를 갖는 MOSFET 소자의 제작 및 그 전기적 특성에 관한 연구" 電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A a29 (8): 78~88    
  • 김철성 (12)

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