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Hot electron에 의하여 노쇠화된 PMOSFET의 문턱전압과 유효 채널길이 모델링
The Threshold Voltage and the Effective Channel Length Modeling of Degraded PMOSFET due to Hot Electron

홍성택    (시립 인천대학교 전자공학과   ); 박종태    (시립 인천대학교 전자공학과  );
  • 초록

    In this paper semi empirical models are presented for the hot electron induced threshold voltage shift( ${\Delta}V_{t}$ ) and effective channel shortening length ( ${\Delta}L_{H}$ ) in degraded PMOSFET. Trapped electron charges in gate oxide are calculated from the well known gate current model and ΔLS1HT is calculated by using trapped electron charges. ( ${\Delta}L_{H}$ ) is a function of gate stress voltage such as threshold voltage shift and degradation of drain current. From the correlation between ( ${\Delta}L_{H}$ ) has a logarithmic function of stress time. From the measured results, ( ${\Delta}V_{t}$ ) and ( ${\Delta}L_{H}$ ) are function of initial gate current and device channel length.


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