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고속 열 확산에 의한 얕은 접합 형성과 Ti-실리시이드화된 $n^+$ -p 다이오드 특성 분석
The Formation of the Shallow Junction by RTD and Characteristic Analysis for $n^+$ -p Diode with Ti-silicide

최동영    (건국대학교 전자공학과   ); 이성욱    (건국대학교 전자공학과   ); 주정규    (건국대학교 전자공학과   ); 강명구    (건국대학교 전자공학과   ); 윤석범    (건국대학교 전자공학과   ); 오환술    (건국대학교 전자공학과  );
  • 초록

    The ultra shallow junction was formed by 2-step RTP. Phosphorus solid source(P $_{2}O_{5}$ ) was transfered on wafer surface during RTG(Rapid Thermal Glass Transfer) of which process condition was 80 $0^{\circ}C$ and 60sec. The process temperature and time of the RTD(Rapid Thermal Diffusion) were 950~105 $0^{\circ}C$ during 5~15sec respectively sheet resistances were measured as 175~320 $\Omega$ /m and junction depth and dopth and dopant surface concentration were measured as 0.075~0.18 $\mu$ m and 5 ${\times}10^{19}cm^{4}$ respectively. Ti-silicide was formed by 2-step RTA after 300 $\AA$ Titanium was deposited. The 1st RTA (2nd RTA) was carried out at the temperature of $600^{\circ}C$ (700~80 $0^{\circ}C$ ) for 30 seconds (10~60 seconds) under N $_2$ ambient. Sheet resistances after 2nd RTA were measured as 46~63 $\Omega$ /D. Si/Ti component ratio was evaulated as 1.6~1.9 from Auger depth profile. Ti-Silicided n-p junction diode (pattern size : 400 $\times$ 400 $\mu$ m) was fabricated under the RTD(the process was carried out at the temperature of 100 $0^{\circ}C$ for 10seconds) and 2nd RTA(theprocess was carried out at the temperature of 750 $^{\circ}C$ for 60 seconds). Leakage current was measured 1.8 ${\times}10^{7}A/mm^{2}$ at 5V reverse voltage. Whent the RTD process condition is at the temperature of 100 $0^{\circ}C$ for 10seconds and the 2nd RTA process condition is at the temperature of 75 $0^{\circ}C$ for 60 seconds leakage current was 29.15 ${\times}10^{9}A$ (at 5V).


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