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$Si^+$ 이온주입된 Si 기판의 결함형성 및 회복에 관한 연구
Characteristics of $Si^+$ self implant Induced Damage and Its Annealing Behavior

김광일    (산업과학기술연구소 전자전기 연구분야   ); 이상환    (한국전자통신연구소 반도체연구단   ); 정욱진    (한국전자통신연구소 반도체연구단   ); 정호배    (한국전자통신연구소 반도체연구단   ); 권영규    (한국전자통신연구소 반도체연구단   ); 김범만    (포항공과대학 전자전기공학과  );
  • 초록

    Damage induced by Si ion implantation and its annealing behavior during rapid thermal annealing were investigated by cross-sectional TEM (transmission electron microscopy) and RB ( Rutherford backscattering) spectrum. 150keV and 50keV Si ions were implanted in Si (100) at room temperature with doses of 2 ${\times}10^{15}cm^{-2}$ . And 100keV Si ions were implanted in Si with doses from 1 ${\times}10^{14}cm^{-2}$ . A variety of damage structures were generated by Si ion implantation such as continuous amorphous layer extending to the surface buried amorphous layer and damage clusters. Damage clusters are annealed out at the lower annealing temperature of 550 $^{\circ}C$ . However, event at the temperature of 110 $0^{\circ}C$ end of range loops remain in the original lower amorphous/crystal interface in the case of continuous and buried amorphous layer formation. Extended defects in the shape of zipper dislocations are also observed at the middle of the recrystallized region in the buried amorphous layer.


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