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유화처리와 광CVD법 질화인막을 이용한 GaAs MISFET 특성
Characteristics of Sulfide Treated GaAs MISFETs with Photo-CVD Grown $P_3$$N_5$ Gate Insulators

최기환   (포항공과대학교 전자전기공학과UU0001351  ); 조규성   (포항공과대학교 전자전기공학과UU0001351  ); 정윤하   (포항공과대학교 전자전기공학과UU0001351  );
  • 초록

    GaAs MISFETs, with photo-CVD grown P $_{3}$ N $_{5}$ gate insulator and sulfide treatment, have been fabricated and showed the instability of drain current reduced less than 22 percent for the period of 1.0s~1.0 ${\times}10^{4}s$ . The effective electron mobility and extrinsic transconductance of the device are about 1300cm $^{2}$ /V.sec and 1.33mS at room temperature. The C-V characteristics of GaAs MIS Diode and AES analysis are also discussed with respect to effect of sulfide treatment conditions.


 저자의 다른 논문

  • 정윤하 (4)

    1. 1997 "0.5$\mu\textrm{m}$-GaAs MESFET을 이용한 X-밴드 모노리식 직렬 궤환 LNA의 설계 및 특성" 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D d34 (5): 7~13    
    2. 1999 "GaAs MESFET의 소오스 및 부하 임피던스가 선형성에 미치는 영향" 韓國電磁波學會論文誌 = The journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science 10 (5): 663~671    
    3. 2002 "부분 채널도핑된 GaAs계 이중이종접합 전력FET의 선형성 증가" 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 39 (1): 83~88    

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