본문 바로가기
HOME> 논문 > 논문 검색상세

논문 상세정보

Low Temperature (LT) GaAs 에피층의 성장과 그 특성연구
The Growth and Its Characteristics of Low Temperature (LT. $250^{\circ}C$) GaAS Epilayer

김태근    (고려대학교 전자공학과   ); 박정호    (고려대학교 전자공학과   ); 조훈영    (동국대학교 물리학과   ); 민석기    (한국과학기술연구원 정보전자부  );
  • 초록

    The GaAs epilayer was grown at low temperature (LT. 250.deg. C) by molecular beam epitaxy. The properties of the LTT GaAs, before and after Rapid Thermal Annealing(RTA), were analyzed by Reflection of High Energy Electron Diffraction (RHEED), Double Crystal X-ray(DCX), Raman spectroscopy, PL and Photo-Induced Current Transient Spectroscopy (PICTS). The LT GaAs before RTA, was analyzed by RHEED and DCX, with a result of an improved surface morphology under a relatively As-rich(As/Ga ratio :28) condition, and of an increased lattics parameter of 1.1 1.7% in comparison with a GaAs substrate. However DCX and Raman spectroscopy revealed that the expanded lattics parameter and the crystallinity of LT GaAs could be recovered after RTA. On the other hand, PL spectra indicated that LT GaAs after RTA showed low optical sensitivity unlike High Temperature(HT) GaAs, and that its surface morphology and crystallinity were corresponded with those of HT GaAs. Finally PICTS spectra proved the fact that low sensitivity of LT GaAs was due to the deep level defects (Ec-0.85eV) which were strogly formed by raising RTA temperature to 750.deg. C.


 저자의 다른 논문

  • 김태근 (10)

    1. 1996 "홀로그래픽 리소그래피에 의한 미세패턴 형성과 MOCVD에 의한 양자세선 어레이의 제작" 電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A a33 (6): 114~119    
    2. 2005 "UV 검출기 제작을 위한 $8{\times}8$ ReadOut IC에 관한 연구" 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. TE, 전문기술교육 42 (3): 45~50    
    3. 2006 "선택적 분자선 에픽택시 방법에 의한 1D-2DEG 혼성 나노선 FET의 구현" 전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers 19 (11): 1005~1009    
    4. 2007 "Sapphire SiC, Si 기판에 따른 AlGaN/GaN HEMT의 DC 전기적 특성의 시뮬레이션과 분석" 전기전자학회논문지 = Journal of IKEEE 11 (4): 272~278    
    5. 2007 "열처리 분위기에 따른 유로퓸 실리케이트 박막의 특성 변화" 전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers 20 (3): 263~267    
    6. 2008 "이산화탄소 감지소자를 위한 마이크로볼로미터 구조 최적화 및 특성연구" 센서학회지 = Journal of the Korean Sensors Society 17 (1): 75~80    
    7. 2009 "실리콘/수소/질소의 결합에 따른 MONOS 커패시터의 계면 특성 연구" 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 46 (12): 18~23    
    8. 2010 "질소 분극면을 갖는 N형 질화물반도체의 접촉저항 감소를 위한 산소 플라즈마 효과에 관한 연구" 韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society 19 (1): 10~13    
    9. 2010 "CHE 주입방법과 기판 순바이어스를 이용한 새로운 고온 전자 주입방법의 프로그램 효율성 비교에 관한 연구" 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 47 (1): 1~5    
    10. 2011 "불소계열 플라즈마 처리를 통한 수직형 UV LED용 ITO/Al 기반 반사전극의 전기적/광학적 특성 최적화" 전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers 24 (11): 911~914    
  • 박정호 (59)

  • 민석기 (9)

 활용도 분석

  • 상세보기

    amChart 영역
  • 원문보기

    amChart 영역

원문보기

무료다운로드
  • NDSL :
유료다운로드

유료 다운로드의 경우 해당 사이트의 정책에 따라 신규 회원가입, 로그인, 유료 구매 등이 필요할 수 있습니다. 해당 사이트에서 발생하는 귀하의 모든 정보활동은 NDSL의 서비스 정책과 무관합니다.

원문복사신청을 하시면, 일부 해외 인쇄학술지의 경우 외국학술지지원센터(FRIC)에서
무료 원문복사 서비스를 제공합니다.

NDSL에서는 해당 원문을 복사서비스하고 있습니다. 위의 원문복사신청 또는 장바구니 담기를 통하여 원문복사서비스 이용이 가능합니다.

이 논문과 함께 출판된 논문 + 더보기