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GaAs/AlGaAs HEMT소자의 제작 및 특성
Fabrication and Characterization of GaAs/AlGaAs HEMT Device

이진희    (한국전자통신연구소 반도체연구단   ); 윤형섭    (한국전자통신연구소 반도체연구단   ); 강석봉    (한국전자통신연구소 반도체연구단   ); 오응기    (한국전자통신연구소 반도체연구단   ); 이해권    (한국전자통신연구소 반도체연구단   ); 이재진    (한국전자통신연구소 반도체연구단   ); 최상수    (한국전자통신연구소 반도체연구단   ); 박철순    (한국전자통신연구소 반도체연구단   ); 박형무    (한국전자통신연구소 반도체연구단  );
  • 초록

    We have been successfully fabricated the low nois HEMT device with AlGaAs and GaAs structure. The epitazial layer with n-type AlgaAs and undoped GaAs was grown by molecular beam epitaxy(MBE) system. Ohmic resistivity of the ource and drain contact is below 5 ${\times}10^{6}{\Omega}{\cdot}cm^{2}$ by the rapid thermal annealing (RTA) process. The ideality factor of the Schottky gate is below 1.6 and the gate material was Ti/Pt/Au. The HEMTs with 0.25 $\mu$ m-long and 200 $\mu$ m-wide gates have exhibited a noise figure of 0.65dB with associated gain of 9dB at 12GHz, and a transconductance of 208mS/mm.


 저자의 다른 논문

  • 이진희 (8)

    1. 1995 "PMMA/P(MMA/MAA) 구조에서 0.1$\mu\textrm{M}$ T-gate 형성을 위한 전자빔 리소그래피 공정에 관한 연구" 한국재료학회지 = Korean journal of materials research 5 (1): 96~103    
    2. 1995 "개선된 T-gate기술로 제작한 초저잡음 AlGaAs/InGaAs/GaAs pseudomorphic HEMT 소자의 특성" 電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A a32 (3): 118~123    
    3. 1998 "ECR 플라즈마와 습식 식각으로 게이트 리세스한 AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMT 소자의 전기적 특성연구" 전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers 11 (5): 365~370    
    4. 1998 "P-HEMT를 이용한 능동 안테나용 X-Band MMIC 저잡음 증폭기 설계 및 제작" 韓國電磁波學會論文誌 = The journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science 9 (4): 506~514    
    5. 2000 "10Gb/s 광수신기용 초고속 저잡음 MMIC 전치증폭기 설계 및 제작" 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 37 (3): 34~38    
  • Yoon, Hyung Sup (11)

  • 강석봉 (2)

  • 오응기 (1)

  • 이해권 (7)

  • 이재진 (10)

  • 최상수 (3)

  • 박형무 (21)

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