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900MHz 대역 4.7 V 동작 전력소자 제작 및 특성
Rabrication of 4.7 V Operation GaAs power MESFETs and its characteristics at 900 MHz

이종람    (한국전자통신연구소 반도체연구단 화합물반도체연구부   ); 김해천    (한국전자통신연구소 반도체연구단 화합물반도체연구부   ); 문재경    (한국전자통신연구소 반도체연구단 화합물반도체연구부   ); 권오승    (한국전자통신연구소 반도체연구단 화합물반도체연구부   ); 이해권    (한국전자통신연구소 반도체연구단 화합물반도체연구부   ); 황인덕    (한국전자통신연구소 반도체연구단 화합물반도체연구부   ); 박형무    (한국전자통신연구소 반도체연구단 화합물반도체연구부  );
  • 초록

    We have developed GaAs power metal semiconductor field effect transistors (MESFETs) for 4.7V operation under 900 MHz using a low-high deped structures grown by molecular beam epitaxy (MBE). The fabricted MESFETs with a gate widty of 7.5 mm and a gate length of 1.0.mu.m show a saturated drain current (Idss) of 1.7A and an uniform transconductance (Gm) of around 600mS, for gate bias ranged from -2.4 V to 0.5 V. The gate-drain breakdown voltage is measured to be higher than 25 V. The measured rf characteristics of the MESFETs at a frequency of 900 MHz are the output power of 31.4 dBm and the power added efficiency of 63% at a drain bias of 4.7 V.


 저자의 다른 논문

  • 김해천 (11)

    1. 1995 "3.3V 동작 68% 효율, 디지털 휴대전화기용 고효율 GaAs MESFET 전력소자 특성" 電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A a32 (6): 41~50    
    2. 1999 "$WN_x$ Self-Align Gate GaAs LDD MESFET의 제작 및 특성" 韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society 8 (b4): 536~540    
    3. 2000 "2.4 GHz WLL 단말기용 GaAs MESFET MMIC 송신기 설계 및 제작" 韓國電磁波學會論文誌 = The journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science 11 (1): 84~92    
    4. 2002 "GaAs MESFET을 이용한 MMIC SPST 스위치 설계" 한국통신학회논문지. The Journal of Korea Information and Communications Society. 통신이론 및 시스템 27 (c4): 371~379    
    5. 2003 "GaAs MESFET를 이용한 ISM 대역 MMIC SPDT 스위치 설계" 한국통신학회논문지. The journal of Korea Information and Communications Society. 무선통신 28 (a3): 179~184    
    6. 2005 "SPDT 단일고주파집적회로 스위치용 pHEMT 채널구조 설계" 韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society 14 (4): 207~214    
    7. 2017 "ETRI 0.25μm GaN MMIC 공정 및 X-대역 전력증폭기 MMIC" 韓國電磁波學會論文誌 = The journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science 28 (1): 1~9    
  • 문재경 (15)

  • 이해권 (7)

  • 황인덕 (4)

  • 박형무 (21)

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