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고출력 InGaAs레이저 다이오드 제작
Fabrication of High Power InGaAs Diode Lasers

계용찬    (포항공과대학교 전자전기공학과   ); 손낙진    (포항공과대학교 전자전기공학과   ); 권오대    (포항공과대학교 전자전기공학과  );
  • 초록

    Gain-guided broad-area single quantum well separate confinement heterostructure diode lasers have been fabricated from structures grown by metal organic vapor phase epitaxy. The active layer of the epi-structure is InGaAs emitting 962-965nm and the guiding layer GaAs. The channel width is fixed to 150 ${\mu}$ m and the cavity length varys within the range of 300~800 ${\mu}$ m. For uncoated LD's, the output power of 0.7W has been obtaained at a pulsed current level of 2A, which results about 60% external quantum efficiency. The threshold current density is 200A/cm $^{2}$ for the cavity lengths of 800.mu.m LD's. The stain effect upon the transparent current density has been observed. The internal quantum efficiency is expected to be 88% and the internal loss to be 18 $cm^{-1}$ . The beam divergence has been measured to be 7 $^{\circ}$ to lateral and 40 $^{\circ}$ to transverse direction. finally, 1.2W continuous-wave output power has been obtained at a current level of 2A for AR/HR coated LD's die-bonded on Cu heat-sink and cooled by TEC.


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