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삼층감광막구조를 이용한 미세패턴의 전자빔 묘화
Submicron Patterning in Electron Beam Lithography using Trilayer Resist

배용철    (서울대학교 전자공학과   ); 서태원    (서울대학교 전자공학과   ); 전국진    (서울대학교 전자공학과  );
  • 초록

    The PMMA/Ge/AZ trilayer resist decreased proximity effect of backscattering electrons and corrected pattern distoration in order to from deep submicron patterns. In the experiment, the prosiemity effect is decreased by 11% and 30% for the case of 0.9 $\mu$ m and 1.7 $\mu$ m AZ, respectively, in trilayer resist compared to monolyer resist. also, the EID of 240 $\AA$ Ge film is smaller than that of 500 $\AA$ film by 365. 0.1 $\mu$ m line/space was formed in the 2000 $\AA$ PMMA layer with the condition of dose 330 ${\mu}C/cm^{2}$ and of 150sec of develop time in MIBK : IPA (1:3) developer.


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