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고집적회로 금속선 형성을 위한 화학증작 알루미늄의 선택적 증착
Selectrive chemical vapor deposition of aluminum for the metallization of high level IC

이경일    (서울대학교 금속공학과   ); 김영성    (서울대학교 금속공학과   ); 주승기    (서울대학교 금속공학과  );
  • 초록

    Aluminum films were deposited by the pyrolysis of triisobutylaluminum(TIBA) in a cold wall LPCVD system for the metallization of high level IC. the selectivity on Si/SiO2 substrate and the contact resistance on submicron contacts were investigated. The carbon free aluminum film could be obtained when the aluminum film was deposited at low substrate temperature. Contact resistances of CVD Al/n+ Si contacts whose contact size was 0.5 .mu.m werre as low as 20~40.OMEGA./ea, which is 30~50% of contact resistance obtained by sputtering technique.


 저자의 다른 논문

  • 이경일 (2)

    1. 1991 "구리의 선택적 전착에서 결정 입자의 크기가 전기적 접촉성에 미치는 영향" 한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology 1 (2): 79~93    
    2. 1993 "화학증착 알루미늄 박막의 표면 상태 개선에 관한 연구" 한국표면공학회지 = Journal of the Korean institute of surface engineering 26 (3): 115~120    
  • 김영성 (1)

  • 주승기 (73)

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