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가역적 Hologram 소자개발을 위한 비정질 (Se,S)계 박막 특성에 관한 연구
A study on the properties of amorphous (Se,S)-system thin films for reversible hologram device development

김상덕    (동아전문대학 전기정보처리과   ); 이재규    (조선대학교 전자공학과   ); 김종빈    (조선대학교 전자공학과  );
  • 초록

    In this paper, $As_{40}Se_{50-x}S_[x}Ge_{10}$ (x=0, 25, 35, at.%) bulk and thin films, to develope device of reversible hologram, proved amorphous by X-RD analysis. On the thin films with composition rate, as Se-doped-quantity increased, absorption edge shifted to long wavelength, and we found that reversible photodarkening effect occurred when thin films are exposed and annealed. Optical energy gap was larger when thin films are annealed than exposed. In this effect thin films structurally stabilized by annealing. It is to formed grating hologram by the bragg method on the $As_{40}Se_{15}S_[35}Ge_{10}$ thisn films with the best transmittance properties As polariging angle grew larger, we found that maximum diffraction efficiency became smaller, and obtained it of 4.5% on the thin fim thicknesss of 0.6 m, polarizing angle of 40 $^[\circ}$ and exposing for 20sec.


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    1. 1996 "광분배를 위한 Y-branch 제작과 광파이버와의 결합특성에 관한 연구" 한국통신학회논문지 = The journal of the Korean institute of communication science 21 (12): 3277~3285    
  • 김종빈 (14)

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