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SOI PN 다이오드의 항복전압과 최적 수평길이에 관한 연구
On the Breakdown Voltage and Optimum Drift Region Length of Silicon-On-Insulator PN Diodes

한승엽    (아주대학교 전자공학과   ); 신진철    (한국전자   ); 최연익    (아주대학교 전자공학과   ); 정상구    (아주대학교 전자공학과  );
  • 초록

    SOI(Silicon-On-Insulator) pn 다이오드의 최적 수평길이( $L_{dr}$ )와 항복전압에 대한 해석적인 표현식을 n' 츠리프트 영역의 농도 및 두께, 매몰 산화막 두께의 함수로 유도하였다. 최적( $L_{dr}$ 은 n'n접합의 수직 방향전계에 의한 항복전압과 n'np'접합으 수평방향 전계에 의한 항복전압이 같다는 조건으로부터 유도하였다. 해석적 표현식의 결과는 PISCESII를 사용한 시뮬레이션 결과와 잘 일치하였다.


    Analytical expressions for the breakdown voltage and the optimum drift region length (L $_{dr}$ ) of SOI (Silicon-On-Insulator) pn diodes are derived in terms of the doping concentration and the thickness of the n- drift region and the buried oxide thickness. The optimum L $_{dr}$ is obtained from the condition that the breakdown voltage of the vertical electric field of n+n- junction equals to the of the lateral electric field of n+n-p+ junction. Analytical results agree reasonably with the numerical simulations using PISCESII.


 저자의 다른 논문

  • 한승엽 (2)

    1. 1995 "수평형 p-i-n 광다이오드의 제작, 특성 측정 및 광제어 스터브 장착 위상기의 설계" 電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A a32 (1): 89~96    
    2. 1998 "RESURE LDMOS의 항복전압에 관한 이론적인 고찰" 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D d35 (8): 38~43    
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