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기계적 후면 손상이 레이저/극초단파 광전도 기법에 의한 소수 반송자 재결합 수명 측정에 미치는 영향
Effect of mechanical backside damage upon minority carrier recombination lifetime measurement by laser/microwave photoconductance technique

조상희   (경북대학교 무기재료공학과UU0000096  ); 최치영   ((주)LG 실트론 부설 연구소CC0175965  ); 조기현   ((주) LG 실트론 부설 연구소CC0175965  );
  • 초록

    초크랄스키 실리콘 기판의 뒷면에 형성된 기계적 손상이 레이저 여기/극초단파 반사 광전도 감쇠법에 의한 소수반송자 재결합 수명 측정에 미치는 영향을 고찰하였다. 기계적손상의 정도는 X-선 이중결정 회절법과 X-선 단면 측정법 및 습식산화/선택적 식각 방법으로 평가하였다. 그 결과, 웨이퍼 뒷면에 가해지는 기계적 손상의 세기가 강할수록 소수반송자 재결합 수명은 짧아지고, 소수반송자 재결합 수명 측정에 영향을 미치는 반치전폭의 임계값은 약13초임을 알 수 있다.


    We investigated the effect of mechanical backside damage upon minority carrier recombination lifetime measurement in Czochralski silicon substrate by laser excitation/microwave reflection photoconductance decay method. The intensity of mechanical damage was evaluated by X-ray double crystal rocking curve, X-ray section topography and wet oxidation/preferential etch methods. The data indicate that the higher the mechanical damage intensity, the lower the minority carrier lifetime, and the threshold full width at half maximum value which affect minority carrier lifetime measurement is about 13 secs.


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