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격자온도 불균일 조건에서 SOI n-MOSFET의 전기적 특성
Electrical properties of SOI n-MOSFET's under nonisothermal lattice temperature

김진양    (서울대학교 전자공학과   ); 박영준    (서울대학교 전자공학과   ); 민홍식    (서울대학교 전자공학과  );
  • 초록

    In this ppaer, temeprature dependent transport and heat transport models have been incorperated to the two dimensional device simulator SNU-2D provides a solid bse for nonisothermal device simulation. As an example to study the nonisothermal problem. we consider SOI MOSFET's I-V characteristics have been simulated and compared with the measurements. It is shown that negative slopes in the Ids-Vds characteristics are casused by the temperature dependence of the saturation velocity and the degradation of the temperature dependence mobility. Also it is shown that the kink effect occurs when impact ionization near the drain produces a buildup of holes in this isolated device island, and the hysteresis is caused by the creation of holes in the channel and their flow to the source.


 저자의 다른 논문

  • 김진양 (1)

    1. 1998 "정공과 격자의 온도를 고려한 새로운 정공 이동도 모델" 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D d35 (8): 31~37    
  • 박영준 (19)

  • 민홍식 (20)

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