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PNP 게이트를 가지는 폴리 실리콘 박막 트랜지스터의 전기적 특성
Electrical characteristics of polysilicon thin film transistors with PNP gate

민병혁    (서울대학교 공과대학 전기공학과   ); 박철민    (서울대학교 공과대학 전기공학과   ); 한민구    (서울대학교 공과대학 전기공학과  );

 저자의 다른 논문

  • 박철민 (6)

    1. 1995 "오프셋 마스크를 이용하지 않는 새로운 자기 정합 폴리 실리콘 박막 트랜지스터" 電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A a32 (5): 54~59    
    2. 1996 "부동 게이트를 가진 새로운 구조의 오프셋 다결정 실리콘 박막 트랜지스터" 電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A a33 (7): 127~133    
    3. 1996 "자체적으로 진공을 갖는 수평형 전계 방출 트라이오드" 電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A a33 (12): 65~71    
    4. 1997 "엑시머 레이저를 이용하여 동시에 형성된 실리콘 산화막과 다결정 실리콘 박막" 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D d34 (1): 35~40    
    5. 1998 "이중 활성층(a-Si/a-SiNx)의 XeCl 엑시머 레이저 어닐링 효과" 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D d35 (6): 46~53    
    6. 1998 "Buried Channel 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 설계 및 제작" 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D d35 (12): 53~58    
  • 한민구 (45)

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