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열처리된 SiO$_{2}$/TiW 구조의 계면 특성
The interfacial properties of th eanneled SiO$_{2}$/TiW structure

이재성    (경북대학교 전자전기공학부   ); 박형호    (연세대학교 세라믹스공학과   ); 이정희    (경북대학교 전자전기공학부   ); 이용현    (경북대학교 전자전기공학부  );
  • 초록

    The variation of the interfacial and the electrical properties of SiO $_{2}$ TiW layers as a function of anneal temperature was extensively investigated. During the deposition of SiO $_{2}$ on TiW chemical bonds such as SiO $_{2}$ , TiW, WO $_{3}$ , WO $_{2}$ TiO $_{2}$ Ti $_{2}$ O $_{5}$ has been created at the SiO $_{2}$ /TiW interface. At the anneal temperature of 300 $^{\circ}C$ , WO $_{3}$ and TiO $_{2}$ bonds started to break due to the reduction phenomena of W and Ti and simultaneously the metallic W and Ti bonds started to create. Above 500 $^{\circ}C$ , a part of Si-O bonds was broken and consequently Ti/W silicide was formed. Form the current-voltage characteristics of Al/Sico $_{2}$ (220 $\AA$ )/TiW antifuse structure, it was found that the breakdown voltage of antifuse device wzas decreased with increasing annealing temperature for SiO $_{2}$ (220 $\AA$ )/TiW layer. When r, the insulating property of antifuse device of the deterioration of intermetallic SiO $_{2}$ film, caused by the influw of Ti and W.W.


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    9. 1998 "$Na_2Se/NH_4OH $용액으로 처리된 GaAs 표면의 안정성 연구" 韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society 7 (1): 11~16    
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  • Lee, Jung-Hee (56)

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