본문 바로가기
HOME> 논문 > 논문 검색상세

논문 상세정보

DMEAA를 이용한 알루미늄 PACVD법의 개발
Development of Al plasma assisted chemical vapor deposition using DMEAA

김동찬    (서울대학교 재료공학부   ); 김병윤    (서울대학교 재료공학부   ); 이병일    (서울대학교 재료공학부   ); 김동환    (고려대학교 재료공학부   ); 주승기    (서울대학교 재료공학부  );
  • 초록

    A thin film of aluminum for ultra large scale integrated circuits metalization has been deposited on TiN and SiO $_{2}$ substrates by plasma assisted chemical vapor deposition using DMEAA (dimenthylethylamine alane) as a precursor. The effects of plasma on surface topology and growth characteristics were investigated. Thermal CVD Al could not be got continuous films on insulating subsrate such as SiO $_{2}$ . However, it was found that Al films could be deposited on SiO $_{2}$ substate without any pretreatments by the hydrogen plasma for pyrolysis of DMEAA. Compared to the thermal CVD, PACVD films showed much better reflectance and resistance on TiN and SiO $_{2}$ substrate. We obtained mirror-like PACVD Al film of 90% reflectance and resistance on TiN and SiO $_{2}$ substrates. We obtained mirror-like PACVD Al film of 90% reflectance on TiN substrate. Excellent conformal step coverage was obtained on submicron contact holes ;by the PACVD blanket deposition.


 저자의 다른 논문

 활용도 분석

  • 상세보기

    amChart 영역
  • 원문보기

    amChart 영역

원문보기

무료다운로드
  • NDSL :
유료다운로드

유료 다운로드의 경우 해당 사이트의 정책에 따라 신규 회원가입, 로그인, 유료 구매 등이 필요할 수 있습니다. 해당 사이트에서 발생하는 귀하의 모든 정보활동은 NDSL의 서비스 정책과 무관합니다.

원문복사신청을 하시면, 일부 해외 인쇄학술지의 경우 외국학술지지원센터(FRIC)에서
무료 원문복사 서비스를 제공합니다.

NDSL에서는 해당 원문을 복사서비스하고 있습니다. 위의 원문복사신청 또는 장바구니 담기를 통하여 원문복사서비스 이용이 가능합니다.

이 논문과 함께 이용한 콘텐츠
이 논문과 함께 출판된 논문 + 더보기