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Sub-micron 규모의 메몰 채널(buried-channel)P-MOSFETs에서의 핫-캐리어 현상
Hot-carrier effects in sub-micron scaled buried-channel P-MOSFETs

정윤호    (건국대학교 전자공학과   ); 김종환    (건국대학교 전자공학과   ); 노병규    (건국대학교 전자공학과   ); 오환술    (건국대학교 전자공학과   ); 조용범    (건국대학교 전자공학과  );
  • 초록

    The size of a device needs to scale down to increase its integrity and speed. As the size of the device is reduced, the hot-carrier degradation that severely effects on device reliabilty is concerned. In this paper, sub-micron buried-channel P-MOSFETs were fabircated, and the hot-carrier effects were invetigated. Also the hot-carrier effect in the buired-channel P-MOSFETs and the surface-channel P-MOSFETs were compared with simulation programs using SUPREM-4 and MINIMOS-4. This paper showed that the electric characteristics of sub-micron P-MOSFET are different from those of N-MOSFET. Also it showed that the punchthrough voltage ( $V_{pt}$ ) was abruptly drop after applying the stress and became almost 0V when the channel lengths were shorter than 0.6.mu.m. The lower punchthrough voltage causes the device to operte poorly by the deterioration of cut-off characteries in the switching mode. We can conclude that the buried channel P-MOSFET for CMOS circuits has a limit of the channel length to be around 0.6.mu.m.


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