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텅스텐 폴리사이드 전극에 따른 게이트 산화막의 내압 특성
Breakdown characteristics of gate oxide with tungsten polycide electrode

정회환    (한국전자통신연구소 반도체연구단   ); 이종현    (한국전자통신연구소 반도체연구단   ); 정관수    (경희대학교 전자공학과  );
  • 초록

    The breakdown characteristics of metal-oxide-semiconductor(MOS) capacitors fabricated by Al, polysilicon, and tungsten polycide gate electrodes onto gate oxide was evaluated by time zero dielectric breakdwon (TZDB). The average breakdown field of the gate oxide with tungsten polycide electride was lower than that of the polysilicon electrode. The B model (1~8MV/cm) failure of the gate oxide with tungsten polycide electrode was increased with increasing annealing temperature in the dry $O_{2}$ ambient. This is attributed ot fluorine and tungsten diffusion from thungsten silicide film into the gate oxide, and stress increase of tungsten polcide after annealing treatment.


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    1. 1990 "FA-CVD에 의한 미세결정질 실리콘 박막 제작 및 특성" 전자공학회논문지 = Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics 27 (9): 1402~1408    
    2. 1992 "MBE에 의한 다양자 우물제작 및 특성연구(공명투과 다이오드의 제작과 전기적 특 성)" 韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society 1 (1): 134~138    
    3. 1994 "비정질 실리콘을 이용한 다층 유전 박막의 전기적 특성에 관한 연구" 韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society 3 (1): 71~76    
    4. 1995 "전극 재료와 산화분위기에 따른 게이트 산화막의 전기적 특성에 관한 특성" 韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society 4 (1): 18~25    
    5. 1995 "텅스텐 폴리사이드막의 열산화에서 인 불순물 효과" 韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society 4 (3): 293~300    
    6. 1995 "W-polycide 게이트 구조에서 텅스텐 실리사이드 증착 방법에 따른 게이트 산화막의 내압 특성" 韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society 4 (3): 301~305    
    7. 1996 "인이 주입된 poly-Si/SiO$_{2}$/Si 기판에서 텅스텐 실리사이드의 형성에 관한연구" 電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A a33 (3): 126~134    
    8. 1996 "특집 편집기" 電子工學會誌 = The journal of Korea Institute of Electronics Engineers 23 (11): 22~22    
    9. 1997 "MICROMACHINS특집(특집편집기)" 電子工學會誌 = The journal of Korea Institute of Electronics Engineers 24 (10): 21~22    
    10. 1998 "N-형 $WO_{3}$계 가스센서의 전기적 특성" 센서학회지 = Journal of the Korean Sensors Society 7 (3): 188~196    

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