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$CuInTe_2$ 단결정 성장과 특성연구(I)
Study on $CuInTe_2$ Single Crystals Growth and Characteristics(I)

유상하    (조선대학교 물리학과,광주   ); 홍광준    (조선대학교 물리학과 광주, 조선대학교 전산통계학과,광주, 원광대학교 과학교육(물리)과,익산, 전북대학교 물리학과,전주, 전북대학교 물리학과,전주, 전북대학교 물리학과,전주, 전북대학교 물리학과,전주, 동신대학교 물리학과,나주, 금성환경전문대학,나주, 동아전문대학,영암  );
  • 초록

    CuInTe2 다결정은 수평전기로에서 합성하고, CuInTe2 단결정은 수직 Bridgman 방법으로 성장하여 결정구조를 조사하고, Hall 효과를 30K에서 293K의 온도영역에서 측정하였다. CuInTe2 다결정 및 단결정은 정방정계였다. 다결정의 격자상수는 a=6.168Å, c=12.499Å 그리고 c/a=2.026이었고, 단결정의 격자상수는 a=6.186Å, c=12.453Å, 그리고 c/a=2.013이었다. CuInTe2 단결정의 성장면은 Laue 배면반사 사진으로부터 구하였으며 (112)면이었다. CuInTe2 단결정의 Hall 효과는 van der Pauw 방법으로 측정하였다. 상온에서 측정된 c축에 수직한 시료의 운반자농도 p는 2.14×1023holes/m3, 전기전도도 δ는 739.58Ω-1m-1 그리고 이동도 μ는 2.16×10 m2/V·s 이었다. c축에 평행한 시료의 운반자농도 p는 1.51×1023holes/m3, 전기전도도 σ는 717.55Ω-1m-1 그리고 이동도 μ는 2.97×10-2 m2/V·s이었다. c축에 수직 및 평행한 시료의 Hall계수가 양의 값이어서 CuInTe2 단결정은 p형 반도체임을 알 수 있었다.


    CuInTe2 synthesised in a horizontal electric furnace was found to be polycrystalline. Single crystals of CuInTe2 were grown with the vertical Bridgman technique. The structure, Hall effect of the crystals were measured in the temperature range 30 to 293K. Both the polycrystals and single crystals of CuInTe2 were tetragonal in structure. The lattice constants of the polycrytals were measured as a=6.168Å and c=12.499Å, with c/a=2.026, these of the single crystals were measured as a=6.186Å and c=12.453Å, with c/a=2.013. The growth plane of the oriented single crystals was confirmed to be a (112) plane from the back-reflection Laue patterns. The Hall effect of the CuInTe2 single crystals was measured with the method of van der Pauw The Hall data of the samples measured at room temperature showed a carrier concentration of 2.14×1023holes/m3, a conductivity of 739.58Ω-1m-1, and a mobility of 2.16×10 -2m 2/V·s for the sample perpendicular to the c-axis. Values of 1.51×1023holes/m3, 717.55Ω-1m-1, and 2.97×10-2 m2/V·s were obtained for the sample parallel to the c-axis. The Hall coefficients for the samples both perpendicular and parallel to the c-axis in the temperature range 30K to 293K were always positive values. Thus the CuInTe2 single crystal was determined to be a p-type semiconductor.


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    1. 1988 "이종접합 태양전지 (II-VI)의 제작과 물성에 대한 연구($n-Cd_{1-x}Zn_xS/p-Si$ 태양전지를 중심으로)" 태양에너지 = Solar energy 8 (1): 41~48    
    2. 1993 "CBD 방법에 의한 CdS 박막의 성장과 광전도 특성" 센서학회지 = Journal of the Korean Sensors Society 2 (1): 3~10    
    3. 1993 "Chemical Bath Deposition 방법으로 제작한 CdSe 박막의 특성" 센서학회지 = Journal of the Korean Sensors Society 2 (1): 81~86    
    4. 1993 "$n-CdS_{0.46}Se_{0.54}/p-Cu_{2-X}S_{0.46}Se_{0.54}$ 이종접합 태양전지의 제작과 그 특성에 관한 연구" 태양에너지 = Solar energy 13 (1): 49~58    
    5. 1995 "$Cd_{1-x}Zn_{x}S$ 박막의 성장과 광전도 특성" 센서학회지 = Journal of the Korean Sensors Society 4 (3): 60~70    
    6. 1995 "CBD 방법에 의한 $CdS_{1-x}Se_{x}$ 박막의 열처리에 따른 광전기적 특성" 센서학회지 = Journal of the Korean Sensors Society 4 (1): 51~63    
    7. 1997 "HWE방법에 의한 CdSe 박막 성장과 광전기적 특성" 센서학회지 = Journal of the Korean Sensors Society 6 (4): 328~336    
    8. 1997 "HWE에 의한 $CdGa_2Se_4$ 박막 성장과 광전도 특성" 한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology 7 (3): 366~376    
    9. 1997 "$CuInTe_2$ 단결정 성장과 특성연구(II)" 한국결정학회지 = Korean journal of crystallography 8 (1): 48~58    
    10. 1998 "HWE에 의한 $Cd_{1-x}Zn_xS $박막의 성장과 광전도 특성" 한국결정학회지 = Korean journal of crystallography 9 (1): 53~63    
  • 홍광준 (81)

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