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한국광학회지 = Korean journal of optics and photonics v.7 no.2, 1996년, pp.150 - 156   피인용횟수: 1

수직형 LPE장치를 이용한 InGaAsP/InP RWG(Ridge Waveguide) MQW-LD제작
The fabrication of InGaAsP/InP RWG(ridge waveguide) MQW-LD by the vertical LPG system

박윤호    (한국해양대학교 전자통신공학과   ); 오수환    (한국해양대학교 전자통신공학과   ); 하홍춘    (한국해양대학교 전자통신공학과   ); 안세경    (한국해양대학교 전자통신공학과   ); 이석정    (한국해양대학교 전자통신공학과   ); 홍창희    (한국해양대학교 전자통신공학과   ); 조호성    (전자통신연구소 화합물반도체 연구부  );
  • 초록

    본 연구에서는 RWG MQW-LD가 weakly index-guided LD로 동작하기 위한 최적 걸게조건으로부터, 수직형 LPE장치를 사용하여 RWG MQW-LD를 제작하였다. 먼저 수회의 실험을 통해 MQW-DH웨이퍼를 photolithofraphy공정을 통해 폭이 4.mu.m인 ridge 패턴을 형성시켜 RWG MQW-LD를 제작하였으며 전기광학적 특성을 조사한 결과 I=2.7I $_{th}$ 이상에서도 측방향 단일모드 동작함을 알 수 있었다.


    RWG MQW-LD has been made with our vertical LPE system from the optimal design condition for the RWG MQW-LD to be activated as weakly index-guided LD. Through several experiments we have established the growth condition which can be used through to grow the MQW-DH wafer and to control the thickness of MQW layer to ~200 $\AA$ . 4 ${\mu}{\textrm}{m}$ -thickness of the ridge pattern has been formed through the photolithographic process on the MQW-DH wafer grown by the former condition, and then we have fabricated the RWG MQW-LD using it. From the result of measuring the electro-optical characteristics we can make sure that it can be lasing as lasing as laterally single mode at even more than $2.7I_{th}$ .


  • 참고문헌 (9)

    1. Performance of an improved InGaAsP ridge waveguide laser at 1.3μ , I. P. Kaminow;R. E. Nahory;L. W. Stulz;J. C. Dewinter , Electron. Lett. / v.17,pp.318-320,
    2. Thermal degradation of InP and its control in LPE growth , W. Y. Lum;A. R. Clawson , J. Appl. Phys. / v.50,pp.5296-5301,
    3. Quantum size effect and perspectives of its practical application , M. I. Elinson;V. A. Volkov;V. N. Lutskii;T. N. Pinsker , Thin Solid Films / v.12,pp.383-397,
    4. Theory of transverse cavity mode selection in homojunction and hetrojunction semiconductor laser , J. K. Butler , J. Appl. Phys. / v.42,pp.44447-4457,
    5. 수직형 LPE장치에 의한 InGaAsP(1.3 ㎛)/InP MQW 단결정 성장에 관한 연구 , 조호성;황상구;배정철;홍창희;김재창;오종환 , 한국물리학회 논문지 / v.6,pp.151-156,
    6. InGaAsP/InP RWG MQW-LD의 저전류 동작을 위한 최적화 설계 , 하홍춘;박윤호;오수환;오종환;홍창희 , 대한전자공학회 한국통신학회 부산·경남지부 추계 합동학술발표회 논문집 / v.,pp.48-54,
    7. Metal-compound semiconductor reactions , A. K. Sinha;J. M. Poate , Thin Films-Inter-Diffusion and Reaction / v.,pp.,
    8. Quantum size effect-present state and perspectives of experimental investigations , V. N. Lutskii , Phys. State Solidi(a) / v.1,pp.199-220,
    9. New stripe-geometry laser with simplified fabrication process , M. C. Amann , Electorn. Lett. / v.15,pp.441-442,
  • 이 논문을 인용한 문헌 (1)

    1. 1996. "An investigation of optical characteristics of InGaAsP/InP RWG MQW-LD by LPE method" 한국광학회지 = Korean journal of optics and photonics, 7(3): 266~271     

 저자의 다른 논문

  • 하홍춘 (3)

    1. 1996 "LPE(Liquid phase Epitaxy)방법으로 제작된 InGaAs/InP Ridge Waveguide Multiple Quantum Well Laser Diode의 광학적 특성조사" 한국광학회지 = Korean journal of optics and photonics 7 (3): 266~271    
    2. 1996 "InGaAsP/InP RWG MQW-LD의 최적 설계" 한국광학회지 = Korean journal of optics and photonics 7 (4): 375~385    
    3. 2001 "MQW Buried RWG LD 최적화 설계" 한국광학회지 = Korean journal of optics and photonics 12 (4): 312~319    
  • 안세경 (4)

  • 이석정 (10)

  • 홍창희 (33)

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