본문 바로가기
HOME> 논문 > 논문 검색상세

논문 상세정보

수평브릿지만법에 의한 갈륨비소 과도기 성장의 유한요소 해석
Finite element analysis of transient growth of GaAs by horizontal Bridgman method

김도현    (한국과학기술원 화학공학과   ); 민병수    (현대중공업 산업기술연구소  );
  • 초록

    갈륨 비소 반도체 결정을 성장시키는 데 많이 사용되는 수평브렷지만법에 의하여 성장된 갈륨비소 단결정 내에셔 불순물 분포를 알아보기 위하여 액상에서 열전달, 물질전달, 유 체흐름과 고상에서 열전달을 묘사하는 과도기 모탤을 수립하였고 유한요소법과 음함수 척분법 에 의하여 수치모사를 행하였다. 그 결과 Gr이 작은 경우에는 확산조절성장의 특성을 보였으며 G Gr이 1,700 정도만 되어도 농도의 최소값이 계면 근처로 이동하였다. 응고가 진행됨에 따라 계 면의 곡률이 증가하였고, 흐름에 의한 혼합이 안정될 때까지 수직편석이 증가하였다. 수펑편석 은 응고가 진행됨에 따라 증가하였지만 흐름의 강도가 강한 경우에는 곧 일정하게 유지되였다. G Gr이 아주 작거나 큰 경우에는 Smith식과 Scheil식의 경우와 잘 일치하였다.


    To invetigate the impurity distribution in GaAs crystal grown by horizontal Bridgman method, we constructd the mathematical model describing heat transfer, mass transfer and fluid flow n transient growth of GaAs. Galerkin finite element method and implicit time integration were used to solve the equations and simulate the transient growth. The concentration distribution is similar to the case of diffusion controlled growth when Gr - 0. With the increase of Gr the concentration profile is distroted and the minimum solute concentration appears near the interface. As solidification prosceeds, interface deflection increases steadily and transverse segregation increases until mixing by flow becomes steady. The axial segregation increases with solidification. But, with high intensity of flow axial segregation becomes steady after short transient. At small and large Gr the result showed a good agreememt with the prediction Smith and Scheil.


  • 참고문헌 (10)

    1. M.J. Crochet;F.T. Geyling;J.J. Van Schaftingen , J. Crystal Growth / v.65,pp.166,
    2. D.H. Kim;R.A. Brown , J. Crystal Growth / v.114,pp.411,
    3. M.J. Crochet;F.T. Geyling;J.J. Van Schaftingen , Int. J. Num. Meth. Fluids / v.7,pp.29,
    4. S. Dupont;J.M. Marchal;M.J. Crochet;F.T. Geyling , Int. J. Num. Meth. Fluids / v.7,pp.49,
    5. D.R. Lynch;W.G. Gray , J. Comput. Phys. / v.36,pp.135,
    6. P. Wouters;J.J. Van Schaftingen;M.J. Crochet , Int. J. Num. Meth. Fluids / v.7,pp.131,
    7. L.R. Petzold , SIAM, J. Stat. Comput. / v.3,pp.367,
    8. B. Roux(ed.) , Numerical Simulation of Oscillatory Convectionin Low-Pr Fluids / v.,pp.,
    9. C.W. Gear , IEEE trans. Circuit Theory Ct-18 / v.,pp.89,
    10. J.A. Burton;R.C. Prim;W.P. Slichter , J. Chem. Phys / v.21,pp.1987,

 저자의 다른 논문

  • 김도현 (8)

    1. 1995 "SOI소자 제죠를 위한 ZMR공정의 모델링" 한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology 5 (2): 100~108    
    2. 1995 "n 형 다공성 실리콘의 기공 내에서의 전기장 분포" 한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology 5 (3): 284~290    
    3. 1995 "2차원 및 3차원 정상상태 모델에 의한 수평브릿지만 결정성장에서의 고 - 액 계면과 편석" 한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology 5 (4): 306~317    
    4. 1996 "MOCVD법에 의한 AI 박막의 증착속도 분포에 대한 수치모사" 한국재료학회지 = Korean journal of materials research 6 (1): 99~105    
    5. 1997 "열교환법 공정에서 고/액 계면의 형태에 미치는 자연대류의 영향" 한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology 7 (1): 41~46    
    6. 2006 "UV/O2 가스상 세정을 이용한 실리콘 웨이퍼상의 PEG 반응기구의 관찰" 전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers 19 (11): 985~993    
  • 민병수 (3)

 활용도 분석

  • 상세보기

    amChart 영역
  • 원문보기

    amChart 영역

원문보기

무료다운로드
  • NDSL :
유료다운로드
  • 원문이 없습니다.

유료 다운로드의 경우 해당 사이트의 정책에 따라 신규 회원가입, 로그인, 유료 구매 등이 필요할 수 있습니다. 해당 사이트에서 발생하는 귀하의 모든 정보활동은 NDSL의 서비스 정책과 무관합니다.

원문복사신청을 하시면, 일부 해외 인쇄학술지의 경우 외국학술지지원센터(FRIC)에서
무료 원문복사 서비스를 제공합니다.

NDSL에서는 해당 원문을 복사서비스하고 있습니다. 위의 원문복사신청 또는 장바구니 담기를 통하여 원문복사서비스 이용이 가능합니다.

이 논문과 함께 출판된 논문 + 더보기