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LP-MOCVD로 제조한 알루미나 박막의 증착 특성
Deposition properties of $Al_{2}O_{3}$ thin films by LP-MOCVD

김종국    (경북대학교 무기재료공학과   ); 박병옥    (경북대학교 무기재료공학과   ); 조상희    (경북대학교 무기재료공학과  );
  • 초록

    Al2O3 thin films were deposited on Si-wafer (100) using organo-aluminum compounds at low pressure by chemical vapor deposition (CVD) method. The vapor of the organo-metallic precursor was carried by pure N2 gas. The deposition rate increased and then saturated as Tsub increased with increasing the AIP flow rate. The main contamination didn't found in deposited films except carbon. The H-O(H2O) IR absorption band decreased in intensity as the deposition temperature increased, and completely disappeared through annealing.


  • 참고문헌 (11)

    1. M. Kojima;M. Okuyama;T. Nakagawa;Y. Hamakawa , JPn. J. Appl. Phys. / v.,pp.14,
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    11. O.B. Ajayi(et al.) , Thin Solid Fims / v.138,pp.91,

 저자의 다른 논문

  • 김종국 (5)

    1. 1997 "MOCVD법으로 제조한 $AL_2O_3$ 박막의 열처리에 의한 특성 평가" 한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology 7 (2): 216~223    
    2. 1998 "Sol-Gel법에 의한 PZT박막 제조에서 완충층의 영향" 한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology 8 (2): 307~314    
    3. 1998 "Sol-gel법으로 제조한 PLT 박막의 seeding layer 도입에 의한 배향 특성" 한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology 8 (3): 468~473    
    4. 1999 "MOCVD 법에 의해 Si(100) 기판 위에 제조된 $PbTiO_3$ 박막의 증착 특성" 한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology 9 (1): 34~38    
    5. 1999 "초음파 처리된 sol로 제조된 PZT 박막의 미세구조 및 전기적 특성" 한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology 9 (1): 101~106    
  • Park, Byung-Ok (28)

  • 조상희 (81)

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