본문 바로가기
HOME> 논문 > 논문 검색상세

논문 상세정보

HWE 방법에 의한 CdS 박막의 성장과 광전도 특성
Growth of CdS thin film using hot wall epitaxy method and their photoconductive characteristics

홍광준    (조선대학교 물리학과  );
  • 초록

    HWE 방법으로 CdS 박막을 quartz plate 위에 성장하였다. CdS 박막을 성장할 때 증발원과 기판의 온도를 각각 $590^{\circ}C$ , $400^{\circ}C$ 로 하였고 성장된 두께는 $2.5\;\mu\textrm{m}$ 였다. 성장된 CdS 박막의 X-선 회절 무늬로부터 외삽법에 의해 구한 a와 c는 각각 $4.137\;{\AA}$ 과 $6.713\;{\AA}$ 인 육방정계임을 알았다. Van der Pauw 방법으로 Hall 효과를 측정하여 운반자 농도와 이동도의 온도 의존성을 연구하였다. 이동도는 30 K에서 200 K까지는 piezoelectric 산란에 기인하고, 200 K에서 293 K까지는 polar optical 산란에 의하여 감소하였다. 광전도 셀의 특성으로 spectral response, 최대 허용 소비전력 (MAPD), 광전류와 암전류비 (pc/dc), 및 응답시간을 측정하였다. Cu 증기 분위기에서 열처리한 광전도 셀의 경우 ${\gamma}=0.99,\;pc/dc=9.42{\times}10^{6}$ , MAPD : 318 mW, rise time 10 ms, decay time 9 ms로 가장 좋은 광전도 특성을 얻었다.


    The CdS thin films are grown on quartz plate by hot wall epitaxy. The source and substrate temperature is $590^{\circ}C$ and $400^{\circ}C$ respectively, and thickness of the film is $2.5\;\mu\textrm{m}$ . Using extrapolation method of X-ray diffraction patterns for the CdS thin film, it was found hexagonal structure whose lattice constant a and c were $4.137\;{\AA}$ and $6.713\;{\AA}$ , respectively. Hall effect on this sample was measured by the method of van der Pauw and studied on cattirer density and mobility depending on temperature. From hall data, the mobility was likely to be decreased by piezoelectric scattering in the temperature range 30 K to 200 K and by polar optical scattering in the temperature range 200 K to 293 K. In order to explore the applicability as a photoconductive cell we measured the sensitivity ( $\gamma$ ), the ratio of photocurrent to darkcurrent (pc/dc), maximum allowable power dissipation (MAPD), spectral response and response time. The results indicated that for the samples annealed in Cu vapor the photoconductive characteristics are the best. Then we obtained the sensitivity of 0.99, the value of pc/dc of $9.42{\times}10^{6}$ , the MAPD of 318 mW, and the rise and decay time of 10 ms and 9 ms, respectively.


  • 참고문헌 (14)

    1. R.H. Bude , Phys. Rev. / v.99,pp.1105,
    2. A. Smith , J. Vac. Sc. Technol. / v.15,pp.353,
    3. J.W. Orton;B.J. Gold Smith;J.A. Chapman;M.J. Powell. , J. Appl. Phys. / v.53,pp.1602,
    4. K.L. Chopra;I. Kaur , Thin Film Device Applications / v.,pp.,
    5. Hamamatsu , Hamamatsu Photonics / v.,pp.8,
    6. V. Vincent , Active and Passive Thin Film Device / v.,pp.487,
    7. M. Muller;H. Tian;U. Becker;M. Grun;C. Klingshirn , Thin Solid Films / v.95,pp.199,
    8. Y.J. Shin;S.K. Kim , Phys. Rev. / v.B44,pp.5522,
    9. W. Budde , Physical Dectors of Optical Radiation / v.,pp.215,
    10. B. Ray , Ⅱ-Ⅵ Compounds / v.,pp.,
    11. K.K. Muravyeva;I.P.K. Kinm;V.B. Aleakvsky;I.N. Anikin , Thin Solids Films / v.10,pp.355,
    12. H. Fujita , J. Phys. Soc. / v.20,pp.109,
    13. B.D. Cullity , Elements of X-ray Diffractions / v.,pp.,
    14. 홍광준;신영진;양동익;정태수;신현길;유기수 , 새물리 / v.30,pp.376,

 저자의 다른 논문

  • 홍광준 (81)

    1. 1988 "이종접합 태양전지 (II-VI)의 제작과 물성에 대한 연구($n-Cd_{1-x}Zn_xS/p-Si$ 태양전지를 중심으로)" 태양에너지 = Solar energy 8 (1): 41~48    
    2. 1993 "CBD 방법에 의한 CdS 박막의 성장과 광전도 특성" 센서학회지 = Journal of the Korean Sensors Society 2 (1): 3~10    
    3. 1993 "Chemical Bath Deposition 방법으로 제작한 CdSe 박막의 특성" 센서학회지 = Journal of the Korean Sensors Society 2 (1): 81~86    
    4. 1993 "광전도체의 CdS 단결정 성장과 물리적 특성" 센서학회지 = Journal of the Korean Sensors Society 2 (1): 109~115    
    5. 1993 "승화법에 의한 CdS 단결정 성장" 한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology 3 (2): 125~130    
    6. 1993 "$n-CdS_{0.46}Se_{0.54}/p-Cu_{2-X}S_{0.46}Se_{0.54}$ 이종접합 태양전지의 제작과 그 특성에 관한 연구" 태양에너지 = Solar energy 13 (1): 49~58    
    7. 1995 "$Cd_{1-x}Zn_{x}S$ 박막의 성장과 광전도 특성" 센서학회지 = Journal of the Korean Sensors Society 4 (3): 60~70    
    8. 1995 "CBD 방법에 의한 $CdS_{1-x}Se_{x}$ 박막의 열처리에 따른 광전기적 특성" 센서학회지 = Journal of the Korean Sensors Society 4 (1): 51~63    
    9. 1996 "$CuInTe_2$ 단결정 성장과 특성연구(I)" 한국결정학회지 = Korean journal of crystallography 7 (1): 44~56    
    10. 1996 "$CdIn_{2}Te_{4}$ 단결정 성장과 전기적 특성" 한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology 6 (1): 32~43    

 활용도 분석

  • 상세보기

    amChart 영역
  • 원문보기

    amChart 영역

원문보기

무료다운로드
  • NDSL :
유료다운로드
  • 원문이 없습니다.

유료 다운로드의 경우 해당 사이트의 정책에 따라 신규 회원가입, 로그인, 유료 구매 등이 필요할 수 있습니다. 해당 사이트에서 발생하는 귀하의 모든 정보활동은 NDSL의 서비스 정책과 무관합니다.

원문복사신청을 하시면, 일부 해외 인쇄학술지의 경우 외국학술지지원센터(FRIC)에서
무료 원문복사 서비스를 제공합니다.

NDSL에서는 해당 원문을 복사서비스하고 있습니다. 위의 원문복사신청 또는 장바구니 담기를 통하여 원문복사서비스 이용이 가능합니다.

이 논문과 함께 이용한 콘텐츠
이 논문과 함께 출판된 논문 + 더보기